專利名稱：放射線檢測器和放射線圖像攝影裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及放射線檢測器和放射線圖像攝影裝置，特別涉及用于檢測所照射的放射線的放射線檢測器、和對由該放射性檢測器檢測出的放射線所顯示的放射線圖像進行攝影的放射線攝影裝置。
背景技術：
近年來，F(xiàn)PD(Flat Panel Detector (平板檢測器))等放射線檢測器已經投入了實際使用，在FPD中，在TFT (Thin Film Transis tor (薄膜晶體管))有源矩陣基板上設置有放射線敏感層，可以將X射線等放射線直接轉換為數(shù)字數(shù)據(jù)。與以往的使用X射線膜或成像板的放射線圖像攝影裝置相比，使用了該放射線檢測器的放射線圖像攝影裝置具有能夠即時確認圖像、也能夠進行連續(xù)攝影放射線圖像的透視攝影(動態(tài)圖像攝影)這樣的優(yōu)點。對于這種放射線檢測器提出了各種類型，例如有間接轉換方式，其中，利用CsI:Tl、G0S(Gd202S:Tb)等閃爍體將放射線暫時轉換成光，然后利用光電二極管等傳感部將所轉換的光轉換成電荷并蓄積這些電荷。在放射線圖像攝影裝置中，讀出蓄積在放射線檢測器中的電荷作為電信號，利用增幅器對讀出的電信號進行增幅后，利用A/D (模擬/數(shù)字)轉換部轉換成數(shù)字數(shù)據(jù)。然而，為了降低對被檢測者(患者)的輻射量，以往存在有下述放射線檢測器，該放射線檢測器具有包含感度較高的柱狀結晶的熒光體層(閃爍體)。在該技術中，為了增加基于柱狀結晶的放射線的吸收量，作為一個示例，由日本特開2008-51793號公報的圖11可知，需要使閃爍體層的膜厚相當厚。但是，對于增加閃爍體層的膜厚，除了成本上升這樣的問題之外，還存在下述問題膜厚越厚，則越需要提高柱狀結晶的初期部(根的部分)中的空隙率，結果會使該初期部處的發(fā)光量下降。S卩，在柱狀結晶的蒸鍍中，柱徑是以預定的波動而變化的，因此膜厚越厚，上述波動的最大值發(fā)生的概率越高，結果使柱狀部彼此接觸的可能性變高。而且,柱狀部彼此一旦接觸則熔合的可能性高，這會導致圖像虛化。另外，柱狀部的長度也具有預定的波動，并且若在蒸鍍的基材上存在異物等的附著，則膜厚越厚，異常生長的柱狀部的長度也越長。因此，在蒸鍍的工序后，需要通過對異常生長的柱狀部擠壓等來降低其長度的工序，使制造工序變得復雜。并且，因擠壓，有時也會對異常生長的周圍的正常的柱狀部造成損傷。因此，為了防止上述熔合，在增加閃爍體層的膜厚的情況下，為了防止上述熔合、防止針對柱狀部的異常生長的工序的復雜化、正常生長的柱狀部的損傷，需要提前降低柱狀結晶的填充率(提高初期部的空隙率)。例如，在國際專利公開W02010/007807號說明書中公開了，在柱狀結晶的閃爍體層的膜厚為100 μ m 500 μ m以上的情況下，所公開的閃爍體的柱狀結晶的填充率為75% 90%。另外，日本特開2006-58099號公報中公開了，在柱狀結晶的閃爍體層的膜厚為500 μ m以上的情況下，所公開的閃爍體的柱狀結晶的填充率為70% 85%。作為能夠用于解決以上問題的技術，在專利文獻I中為了提供一種清晰度優(yōu)異且檢測效率高的放射線數(shù)字圖像攝影裝置而公開了一種放射線數(shù)字圖像攝影裝置，其具有由熒光體顆粒和粘合劑樹脂構成的熒光體層，其特征在于，所述熒光體層由以平板構成的第I熒光體層和大致柱狀的第2熒光體層構成，所述第2熒光體層按照與所述第I熒光體層相接的方式設置，并且與各像素對應設置。需要說明的是，在專利文獻I中，公開了下述結構從照射放射線的一側，依次層積有大致柱狀的第2熒光體層、平板狀的第I熒光體層和設置有光電轉換元件的基板。另外，在專利文獻2中，為了提供一種在提高光轉換效率的同時，能夠取得高畫質·的圖像的放射線圖像檢測器而公開了一種放射線圖像檢測器，其是層積有波長轉換層和檢測器的放射線圖像檢測器，所述波長轉換層含有受到放射線的照射而能夠將該放射線轉換成更長波長的光的熒光體，所述檢測器能夠檢測出由該波長轉換層轉換得到的光并將該光轉換為表示放射線圖像的圖像信號，該放射線圖像檢測器的特征在于，所述波長轉換層至少層積有第I熒光體層和第2熒光體層這兩個層，從所述檢測器側依次配置有所述第2熒光體層和所述第I熒光體層，所述第I熒光體層含有將由該第I熒光體層轉換得到的光進行吸收的吸收劑。需要說明的是，在專利文獻2中，公開了下述結構從照射放射線的一側，依次層積了設置有光電轉換元件的基板、由GOS構成的平板狀的第2熒光體層、和由CsI構成的柱狀的第I熒光體層?，F(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻I:日本特開2002-181941號公報專利文獻2:日本特開2010-121997號公報

發(fā)明內容
發(fā)明要解決的問題但是，在上述專利文獻I所公開的技術中，將感度較高的大致柱狀的第2熒光體層配置于放射線的入射側，但由于由該第2熒光體層發(fā)出的光隔著平板狀的第I熒光體層而被基板接收，因此存在不一定能夠得到高畫質這樣的問題。另外，對于上述專利文獻2所公開的技術，來自感度較高的柱狀的第I熒光體層的光隔著平板狀的第2熒光體層而被基板接收，因此與上述專利文獻I所公開的技術同樣地存在不一定能夠得到高畫質的問題。本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的，其目的為提供一種放射線檢測器和放射線圖像攝影裝置，該放射線檢測器和放射線圖像攝影裝置可以在不使成本上升的情況下，提高所得到的放射線圖像的品質。用于解決問題的手段為了達成上述目的，方案I所述的放射線檢測器具備基板，從該基板一面照射放射線，從另一面照射光，該基板具有第I光電轉換兀件和第I開關元件，所述第I光電轉換元件產生與光對應的電荷，所述第I開關元件用于讀出由第I光電轉換元件產生的電荷；第I熒光體層，該第I熒光體層層積于基板的另一面，產生與隔著基板所照射的放射線對應的光，并且，該第I熒光體層通過含有柱狀結晶而構成；和第2突光體層,該第2突光體層層積于第I突光體層的與基板相反的一側的面上，產生與隔著第I熒光體層所照射的放射線對應的第2光，并且，該第2熒光體層吸收的放射線的能量特性與第I熒光體層不同；從另一面照射的光由第I光和第2光中的至少任意一種構成。根據(jù)方案I所述的放射線檢測器，從基板的一面照射放射線，從另一面照射由第I光和第2光中的至少任意一種構成的光，并且所述基板具有產生與光對應的電荷的第I光電轉換元件、和用于讀出由第I光電轉換元件產生的電荷的第I開關元件，在所述基板的另一面上層積有第I熒光體層，在第I熒光體層的與基板相反一側的面上層積有第2熒光體層，所述第I熒光體層產生與隔著基板所照射的放射線對應的第I光、并且是通過含有柱狀結晶而構成的，所述第2熒光體層產生與隔著第I熒光體層所照射的放射線對應的第2光、并且吸收的放射線的能量特性與第I熒光體層不同。 S卩，本發(fā)明中，按照基板、第I熒光體層、第2熒光體層的順序進行了層積，另一方面，從基板側照射放射線；對于第I熒光體層，與基板層積的一側的面比其他面的發(fā)光強。因此，與從第2熒光體層側照射放射線的情況相比，第I熒光體層的發(fā)光位置靠近基板，因此可以提高由攝影所得到的放射線圖像的分辨率，結果可以提高所得到的放射線圖像的品質。另外，在本發(fā)明中，由第2熒光體層產生的第2光通過由第I熒光體層的柱狀結晶產生的導光功能而被有效地引導至基板，因此從該點考慮，也能夠提高放射線圖像的品質。進一步，在本發(fā)明中，能夠使第2熒光體層吸收在第I熒光體層中無法吸收的放射線，因此能夠使通過含有成本較高的柱狀結晶而構成的第I熒光體層的厚度變薄，結果可以抑制成本。如此，根據(jù)方案I所述的放射線檢測器，從基板的一面照射放射線，從另一面照射由第I光和第2光中的至少任意一種構成的光,并且所述基板具有產生與光對應的電荷的第I光電轉換元件、和用于讀出由第I光電轉換元件產生的電荷的第I開關元件，在所述基板的另一面上層積有第I熒光體層，在第I熒光體層的與基板相反一側的面上層積有第2熒光體層，所述第I熒光體層通過含有柱狀結晶而構成，所述柱狀結晶產生與隔著基板所照射的放射線對應的第I光，所述第2熒光體層產生與隔著第I熒光體層所照射的放射線對應的第2光、并且吸收的放射線的能量特性與第I熒光體層不同，因此能夠在不使成本上升的情況下，提高所得到的放射線圖像的品質。需要說明的是，方案I所述的發(fā)明如方案2所述的發(fā)明那樣，第I熒光體層可以在與基板層積的面形成有非柱狀結晶。由此，可以提高基板和第I熒光體層的密合性。另外，方案I或方案2所述的發(fā)明如方案3所述的發(fā)明那樣，第2熒光體層可以在與第I熒光體層層積的面的相反側的面上層積有反射層。由此，可以將由第I熒光體層和第2熒光體層的各熒光體層所產生的光有效地聚光在基板側。另外，方案I所述的發(fā)明如方案4所述的發(fā)明那樣，可以進一步具備第2基板，所述第2基板設置于第2熒光體層的與第I熒光體層層積的面的相反側的面上，并具有第2光電轉換元件和第2開關元件，所述第2光電轉換元件產生與由第2熒光體層產生的第2光對應的電荷，所述第2開關元件用于讀出由第2光電轉換元件產生的電荷。由此，與不具備第2基板的情況相比，可以有效地使用由第2熒光體層產生的光。另外，方案I所述的發(fā)明如方案5所述的發(fā)明那樣，可以進一步具備第2基板，所述第2基板設置于第I熒光體層和第2熒光體層之間，并具有第2光電轉換元件和第2開關元件，所述第2光電轉換元件產生與由第2熒光體層產生的第2光對應的電荷，所述第2開關元件用于讀出由第2光電轉換元件產生的電荷。由此，與不具備第2基板的情況相比，可以有效地使用由第2熒光體層產生的光。特別是，方案5所述的發(fā)明如方案6所述的發(fā)明那樣，第I熒光體層的與基板層積的一側可以為柱狀結晶的前端部。由此，相比于柱狀結晶的前端部為與第2熒光體層層積的一側的情況，可以進一步提高所得到的放射線圖像的品質。另外，方案5或方案6所述的發(fā)明如方案7所述的發(fā)明那樣，第2熒光體層可以在與第2基板層積的面的相反側的面上層積有反射層。由此，可以將由第2熒光體層所產生的光有效地聚光在第2基板側。另外，方案5至方案7的任一項所述的發(fā)明如方案8所述的發(fā)明那樣，第2基板的第2光電轉換元件可以通過含有有機光電轉換材料來構成。由此，可以有效地抑制噪聲。
另外，方案5至方案8的任一項所述的發(fā)明如方案9所述的發(fā)明那樣，基板和第2基板中的至少一方為柔性基板。由此，即使在第I熒光體層的各柱狀結晶的前端部的高度存在較大差異的情況下，也能夠提高基板和第I熒光體層的密合性。另外，方案I至方案9的任一項所述的發(fā)明如方案10所述的發(fā)明那樣，第I熒光體層的柱狀結晶的前端部可以被平坦地形成。由此，可以提高第I熒光體層和第2熒光體層的密合性。另外，方案I至方案10的任一項所述的發(fā)明如方案11所述的發(fā)明那樣，第2熒光體層可以是通過含有下述材料而構成的，所述材料由原子序數(shù)比構成柱狀結晶的元素的原子序數(shù)大的元素構成。進一步，方案I至方案11的任一項所述的發(fā)明如方案12所述的發(fā)明那樣，第I熒光體層可以通過含有CsI的柱狀結晶來構成，第2熒光體層可以通過含有GOS來構成。另外，方案I至方案12的任一項所述的發(fā)明如方案13所述的發(fā)明那樣，進一步可以具備緩沖層，所述緩沖層介于所述柱狀結晶的前端部和該前端部的層積對象物之間、至少與所述前端部直接層積，并且所述緩沖層對于可見光具有透過性。由此，即使在柱狀結晶的前端部產生了異常突起的情況下，也能夠保護該突起。進一步，方案I至方案13的任一項所述的發(fā)明如方案14所述的發(fā)明那樣，進一步可以具備半反射層-層)，所述半反射層介于所述第I熒光體層和所述第2熒光體層之間，所述半反射層使來自所述第I熒光體層的光反射、使來自所述第2熒光體層的光透過。由此，可以使在第I熒光體層中產生的光僅通過該第I熒光體層的柱狀結晶傳播，因此通過該柱狀結晶的光引導效果，可以得到虛化少的放射線圖像。另一方面，為了達成上述目的，方案15所述的放射線圖像攝影裝置具備方案I至方案14的任一項所述的放射線檢測器、和生成圖像信息的生成單元，所述圖像信息是通過由放射線檢測器讀出的電荷而顯示的。根據(jù)方案15所述的放射線圖像攝影裝置，利用生成單元，通過由本發(fā)明的放射線檢測器讀出的電荷而顯示的圖像信息得以生成。
如此，根據(jù)方案16所述的放射線圖像攝影裝置，由于具備本發(fā)明的放射線檢測器，因此可以與該放射線檢測器同樣地，在不使成本上升的情況下，提高所得到的放射線圖像的品質。進一步，為了達成上述目的，方案16所述的放射線圖像攝影裝置具備方案4或方案5所述的放射線檢測器、和制作單元，在所述制作單元中，對每個對應的像素，將通過由放射線檢測器所具備的基板和第2基板讀出的電荷而顯示的圖像信息進行相加，從而制作新的圖像信息。根據(jù)方案16所述的放射線圖像攝影裝置，利用制作單元，通過對每個對應的像素，將通過由方案4或方案5所述的放射線檢測器所具備的基板和第2基板讀出的電荷而顯示的圖像信息進行相加，從而制作新的圖像信息。如此，根據(jù)方案16所述的放射線圖像攝影裝置，由于具備本發(fā)明的放射線檢測器，因此可以與該放射線檢測器同樣地，在不使成本上升的情況下，提高所得到的放射線圖像的品質。另外，根據(jù)本發(fā)明，通過對每個對應的像素，將通過基板和第2基板讀出的電荷 而顯示的圖像信息進行相加，制作了新的圖像信息，因此可以提高作為放射線檢測器整體的感度。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可以產生在不使成本上升的情況下，提高所得到的放射線圖像的品質的效果。


圖I是表示第I實施方式的放射線檢測器的3個像素部分的示意性構成的截面模式圖。圖2是模擬地表示出實施方式的閃爍體的結晶結構的一個示例的示意圖。圖3是表示各種材料的X射線的吸收特性的曲線圖。圖4是示意性地表示實施方式的放射線檢測器的I個像素部分的信號輸出部的構成的截面圖。圖5是表示實施方式的放射線檢測器的構成的平面圖。圖6是表示第I實施方式的電子盒的構成的立體圖。圖7是表示第I實施方式的電子盒的構成的截面圖。圖8是表示第I實施方式的電子盒的電系統(tǒng)的要部構成的方塊圖。圖9是表示第I實施方式的放射線檢測器的構成的截面圖。圖10是表示第2實施方式的放射線檢測器的3個像素部分的示意性構成的截面模式圖。圖11是表示第2實施方式的電子盒的構成的立體圖。圖12是表示第2實施方式的電子盒的構成的截面圖。圖13是表示第2實施方式的電子盒的電系統(tǒng)的要部構成的方塊圖。圖14是表示第2實施方式的圖像信息發(fā)送處理程序的處理流程的流程圖。圖15是表示第2實施方式的放射線檢測器的構成的截面圖。圖16是表示其它方式的放射線檢測器的構成的截面圖。
圖17是表示其它方式的放射線檢測器的構成的截面圖。圖18是表示其它方式的放射線檢測器的構成的截面圖。圖19是表示各種材料的感度特性的一個示例的曲線圖。圖20是表示各種材料的感度特性的一個示例的曲線圖。圖21是用于說明柱狀結晶中所產生的異常突起的截面圖。圖22是表示其它方式的放射線檢測器的構成的截面圖。圖23是表示其它方式的放射線檢測器的構成的截面圖。圖24是表示其它方式的放射線檢測器的構成的截面圖。 圖25是表示其它方式的放射線檢測器的構成的截面圖。圖26是用于說明由柱狀結晶中所產生的異常突起導致的問題的截面圖。圖27是表示其它方式的放射線檢測器的構成的截面圖。圖28是表示其它方式的放射線檢測器的構成的截面圖。
具體實施例方式以下，參照附圖，對本發(fā)明的具體實施方式
進行詳細說明。[第I實施方式]首先，對本實施方式的間接轉換方式的放射線檢測器20的構成進行說明。圖I是示意性地表示作為本發(fā)明的一個實施方式的放射線檢測器20的3個像素部分的構成的截面模式圖。該放射線檢測器20中，在絕緣性的基板I上，依次層積有信號輸出部14(第I開關元件)、傳感部13 (第I光電轉換元件)、透明絕緣膜7、閃爍體8A (第I熒光體層)、閃爍體8B (第2熒光體層)、反射層12和基底層22，像素部是由信號輸出部14、傳感部13構成的。對于像素部來說，在基板I上配置有2個以上的像素部，并按照各像素部中的信號輸出部14和傳感部13具有重疊的方式而構成。另外，在本實施方式中，通過在基板I上依次形成信號輸出部14、傳感部13、透明絕緣膜7來構成TFT基板30。閃爍體8A是在傳感部13上隔著透明絕緣膜7由柱狀結晶而形成的，是通過對將放射線轉換為第I光而發(fā)光的熒光體進行成膜而得到的，所述放射線是由下方(基板I偵D入射來的。通過設置這種閃爍體8A，透過了被照射物的放射線被吸收，從而發(fā)光。閃爍體8A所發(fā)出的第I光的波長區(qū)域優(yōu)選為可見光區(qū)域(波長為360nm 830nm)，為了能夠利用該放射線檢測器20進行單色攝影，更優(yōu)選包含綠色的波長區(qū)域。作為用于閃爍體8A的熒光體，具體來說，在使用X射線作為放射線來進行攝影的情況下，優(yōu)選含有碘化銫(CsI)，特別優(yōu)選使用X射線照射時的發(fā)光光譜例如處于420nm 700nm的CsI:Tl。需要說明的是，CsI:Tl在可見光區(qū)域中的發(fā)光峰波長為565nm。另外，在本實施方式中，作為一個示例，如圖2所示，將閃爍體8A形成如下結構在放射線入射側/光射出側(TFT基板30側)形成有由非柱狀結晶7IB構成的非柱狀部、在閃爍體8A的與放射線入射側相反的一側形成有由柱狀結晶71A構成的柱狀部；使用含有CsI的材料作為閃爍體8A，將該材料直接蒸鍍至TFT基板30上，從而得到形成有柱狀部和非柱狀部的閃爍體8A。需要說明的是，對于本實施方式的閃爍體8A來說，使柱狀結晶7IA的平均徑沿著柱狀結晶71A的長度方向大致均等。
如上所述，通過使閃爍體8A為形成有柱狀部的構成，由閃爍體8A產生的第I光在柱狀結晶7IA內行進，經由非柱狀結晶71B向TFT基板30射出，向TFT基板30側射出的光的擴散被抑制，結果抑制了所得到的放射線圖像的清晰度的降低。另外，閃爍體8A的行進至柱狀結晶71A的前端部側的第I光經由閃爍體SB而被反射層12反射，從而有助于基于TFT基板30的受光量的增加。需要說明的是，通過使非柱狀部的空隙率接近于0(零)，可以抑制由該非柱狀部導致的光的反射，因此優(yōu)選。另外，優(yōu)選使非柱狀部盡可能薄(1(^!11左右)。另一方面，閃爍體8B是以吸收的放射線的能量特性與閃爍體8A不同的方式而形成的，是通過對將放射線轉換為第2光而發(fā)光的熒光體進行成膜而得到的，所述放射線是由下方(基板I側)入射來的。通過設置這種閃爍體8B ，透過了閃爍體8A的放射線被吸收，從而發(fā)光。閃爍體8B所發(fā)出的第2光的波長區(qū)域也優(yōu)選為可見光區(qū)域。作為用于閃爍體SB的熒光體，具體來說，在使用X射線作為放射線來進行攝影的情況下，優(yōu)選含有G0S，特別優(yōu)選使用G0S:Tb。需要說明的是，G0S:Tb在可見光區(qū)域中的發(fā)光峰波長為550nm。圖3中，示出了各種材料的X射線的吸收特性。如圖3所示，對于GOS來說，構成的元素的原子序數(shù)比CsI大，例如在G0S:Pr的情況下，在50 [KeV]附近具有K邊，因此與作為柱狀結晶的CsI相比，對于高能量的X射線的吸收率高，能夠有效地吸收由CsI所不能吸收的放射線。需要說明的是，GOS可以通過摻雜的材料來改變K邊，例如G0S:Tb的K邊為60 [KeV]左右。另外，此處所指的原子序數(shù)是指考慮閃爍體的組合比而計算得到的有效原子序數(shù)。另外，反射層12是用于反射可見光的，通過形成該反射層12，可有效地將在閃爍體8A中產生的第I光和在閃爍體8B中產生的第2光引導至傳感部13，因此提高了感度。設置該反射層12的方法可以為濺射法、蒸鍍法、涂布法的任一種。作為反射層12，優(yōu)選Au、Ag、Cu、Al、Ni、Ti等在所使用的閃爍體8A和閃爍體8B的發(fā)光波長區(qū)域中反射高的物質。例如，閃爍體8B為G0S:Tb的情況下，以在波長400nm 600nm中的反射率高的Ag、Al、Cu等為宜；對于厚度來說，小于O. 01 μ m時，無法得到反射率，而即使超過3 μ m也無法得到進一步提高反射率的效果，因此優(yōu)選為O. 01 μ m 3 μ m。需要說明的是，在本實施方式中，在各閃爍體的放射線照射面?zhèn)扰渲糜蠺FT基板30，將閃爍體和TFT基板30以這種位置關系進行配置的方式稱作“表面讀取方式(ISS: Irradiation Side Sampling)”。閃爍體的放射線入射側發(fā)光更強烈，因此,與將TFT基板30配置于閃爍體的放射線入射側的相反側的“背面讀取方式(PSS = Penetration SideSampling) ”相比，將TFT基板30配置于閃爍體的放射線入射側的表面讀取方式(ISS)中，TFT基板30與閃爍體的發(fā)光位置更接近，因此由攝影得到的放射線圖像的分辨率高，并且通過增大TFT基板30的受光量，結果可以提高放射線圖像的感度。另一方面，傳感部13具有上部電極6、下部電極2和配置于該上下電極間的光電轉換膜4,光電轉換膜4是由有機光電轉換材料構成的,所述有機光電轉換材料通過吸收閃爍體8A所發(fā)出的第I光和閃爍體8B所發(fā)出的第2光而產生電荷。由于需要使由閃爍體產生的第I和第2光入射至光電轉換膜4，因此優(yōu)選上部電極6由至少對于閃爍體的發(fā)光波長為透明的導電性材料構成，具體來說，優(yōu)選使用對可見光的透過率高、且電阻值小的透明導電性氧化物(TCO !Transparent Conducting Oxide)。需要說明的是，也可以使用Au等金屬薄膜作為上部電極6，但若想要獲得90%以上的透過率，則電阻值容易增大，因此優(yōu)選TC0。例如，可以優(yōu)選使用ITO、IZO、AZO、FT0, SnO2, TiO2, ZnO2等，從工序簡易性、低電阻性、透明性的觀點出發(fā)，最優(yōu)選為ΙΤ0。需要說明的是，上部電極6可以制成在所有像素部都通用的一塊構成，也可以針對每個像素部進行分割。光電轉換膜4含有有機光電轉換材料，通過吸收由閃爍體8A所發(fā)出的第I光和由閃爍體8B所發(fā)出的第2光,產生與吸收的第I光和第2光對應的電荷。如此,如果為含有有機光電轉換材料的光電轉換膜4，則在可見區(qū)域具有窄的吸收光譜，幾乎不會發(fā)生由閃爍體8A和閃爍體8B所產生的發(fā)光以外的電磁波被光電轉換膜4吸收的情況，能夠有效地抑制因X射線等放射線被光電轉換膜4吸收而產生的噪聲。對于構成光電轉換膜4的有機光電轉換材料來說,為了最有效地吸收由閃爍體8A和閃爍體8B所發(fā)出的第I和第2光，其吸收峰波長越接近各閃爍體的發(fā)光峰波長越優(yōu)選。理想的是有機光電轉換材料的吸收峰波長和各閃爍體的發(fā)光峰波長一致，但如果雙方的差·小，則也能夠充分吸收由各閃爍體所發(fā)出的光。具體來說，有機光電轉換材料的吸收峰波長與各閃爍體的相對于放射線的發(fā)光峰波長之差優(yōu)選在IOnm以內，更優(yōu)選在5nm以內。作為能夠滿足這種條件的有機光電轉換材料，可以舉出例如喹吖啶酮系有機化合物和酞菁系有機化合物。例如，喹吖啶酮在可見區(qū)域中的吸收峰波長為560nm，因此若使用喹吖啶酮作為有機光電轉換材料，使用CsI: Tl作為閃爍體8A的材料，使用GOS作為閃爍體8B的材料，則能夠使所述峰波長之差在IOnm以內，能夠使由光電轉換膜4產生的電荷量幾乎為最大。接著，對本實施方式的能夠適用于放射線檢測器20的光電轉換膜4進行具體地說明。本實施方式的放射線檢測器20中的電磁波吸收/光電轉換部位可以由有機層構成，所述有機層含有一對電極2，6、和夾在該電極2，6之間的有機光電轉換膜4。更具體地說，該有機層可以通過吸收電磁波的部位、光電轉換部位、電子輸送部位、空穴輸送部位、電子阻擋部位、空穴阻擋部位、結晶化防止部位、電極和層間接觸改良部位等的堆積或混合而形成。上述有機層優(yōu)選含有有機P型化合物或有機η型化合物。有機P型半導體(化合物)主要是以空穴輸送性有機化合物為代表的施滯性有機半導體(化合物)，是指具有容易給予電子的性質的有機化合物。進一步詳細地說，是指在使2種有機材料接觸來使用時，電離電勢小的有機化合物。因此，作為施滯性有機化合物，只要是具有供電子性的有機化合物就可以使用任一種有機化合物。有機η型半導體(化合物)主要是以電子輸送性有機化合物為代表的受滯性有機半導體(化合物)，是指具有容易收容電子的性質的有機化合物。進一步詳細地說，是指在使2種有機化合物接觸來使用時，電子親和力大的有機化合物。因此，作為受滯性有機化合物，只要是具有電子收容性的有機化合物就可以使用任一種有機化合物。對于能夠用作該有機P型半導體和有機η型半導體的材料、和光電轉換膜4的構成，由于在日本特開2009-32854號公報中已經詳細地進行了說明，因此省略其說明。對于光電轉換膜4的厚度來說，從吸收來自閃爍體8Α的第I光和來自閃爍體8Β的第2光的觀點出發(fā)，膜厚越厚越優(yōu)選，但若厚到某一程度以上，則由于從光電轉換膜4的兩端所施加的偏壓而在光電轉換膜4中產生的電場強度會下降，從而無法收集電荷，因此優(yōu)選光電轉換膜4的厚度為30nm以上且300nm以下，更優(yōu)選為50nm以上且250nm以下，特別優(yōu)選為80nm以上且200nm以下。需要說明的是，在圖I所示的放射線檢測器20中，光電轉換膜4為在所有像素部都通用的一塊構成，但也可以針對每個像素部進行分割。下部電極2為針對每個像素部進行了分割的薄膜。下部電極2可以由透明或不透明的導電性材料構成，可以適宜使用鋁、銀等。下部電極2的厚度例如可以為30nm以上且300nm以下。在傳感部13中，通過在上部電極6和下部電極2之間施加預定的偏壓，可以使由光電轉換膜4產生的電荷(空穴、電子)中的一方移動至上部電極6、使另一方移動至下部 電極2。在本實施方式的放射線檢測器20中，上部電極6連接有配線，通過該配線將偏壓施加于上部電極6。另外，偏壓的極性是按照由光電轉換膜4產生的電子移動至上部電極6、空穴移動至下部電極2的方式來確定的，但該極性也可以相反。構成各像素部的傳感部13只要至少含有下部電極2、光電轉換膜4和上部電極6即可，但為了抑制暗電流的增加，優(yōu)選設置電子阻擋膜3和空穴阻擋膜5中的至少任一者，
更優(yōu)選設置二者。電子阻擋膜3可以設置在下部電極2和光電轉換膜4之間，能夠抑制在下部電極2和上部電極6之間施加偏壓時電子從下部電極2注入到光電轉換膜4而使暗電流增加的情況。電子阻擋膜3可以使用供電子性有機材料。實際用于電子阻擋膜3的材料根據(jù)鄰接的電極的材料和鄰接的光電轉換膜4的材料等進行選擇即可，優(yōu)選為電子親和力(Ea)比鄰接的電極的材料的功函數(shù)(Wf)大1.3eV以上、且具有與鄰接的光電轉換膜4的材料的電離電勢(Ip)同等的Ip或者更小的Ip的材料。對于能夠用作該供電子性有機材料的材料，由于在日本特開2009-32854號公報中已經詳細地進行了說明，因此省略其說明。需要說明的是，光電轉換膜4可以進一步通過含有富勒烯(7 ^)或碳納米管來形成。為了可靠地發(fā)揮暗電流抑制效果，同時防止傳感部13的光電轉換效率的下降，電子阻擋膜3的厚度優(yōu)選為IOnm以上且200nm以下，進一步優(yōu)選為30nm以上且150nm以下，特別優(yōu)選為50nm以上且IOOnm以下?？昭ㄗ钃跄?可以設置在光電轉換膜4和上部電極6之間，能夠抑制在下部電極2和上部電極6之間施加偏壓時空穴從上部電極6注入光電轉換膜4而使暗電流增加的情況?？昭ㄗ钃跄?可以使用電子收容性有機材料。為了可靠地發(fā)揮暗電流抑制效果，同時防止傳感部13的光電轉換效率的下降，空穴阻擋膜5的厚度優(yōu)選為IOnm以上且200nm以下，進一步優(yōu)選為30nm以上且150nm以下，特別優(yōu)選為50nm以上且IOOnm以下。實際用于空穴阻擋膜5的材料根據(jù)鄰接的電極的材料和鄰接的光電轉換膜4的材料等進行選擇即可，優(yōu)選為電離電勢(Ip)比鄰接的電極的材料的功函數(shù)(Wf)大1.3eV以上、且具有與鄰接的光電轉換膜4的材料的電子親和力(Ea)同等的Ea或者更大的Ea的材料。對于能夠用作該電子收容性有機材料的材料，由于在日本特開2009-32854號公報中已經詳細地進行了說明，因此省略其說明。需要說明的是，在按照由光電轉換膜4產生的電荷中的空穴移動至上部電極6、電子移動至下部電極2的方式來設定偏壓的情況下，電子阻擋膜3和空穴阻擋膜5的位置調換即可。另外，可以不設置電子阻擋膜3和空穴阻擋膜5雙方，設置電子阻擋膜3和空穴阻擋膜5中的任一方則也能夠得到某一程度的暗電流抑制效果?！ぴ诟飨袼夭康南虏侩姌O2下方的基板I的表面上，形成有信號輸出部14。圖4中，示意性地表示了信號輸出部14的構成?！づc下部電極2對應地形成有將移動至下部電極2的電荷進行蓄積的電容器9、和將電容器9中蓄積的電荷轉換為電信號并輸出的場效應型薄膜晶體管(Thin FilmTransistor，以下僅稱為“薄膜晶體管”。)10。在俯視中，形成有電容器9和薄膜晶體管10的區(qū)域與下部電極2具有重疊的部分，通過制成這種構成，各像素部中，信號輸出部14和傳感部13在厚度方向上具有重疊。需要說明的是，為了使放射線檢測器20(像素部)的平面面積為最小，優(yōu)選形成有電容器9和薄膜晶體管10的區(qū)域完全被下部電極2覆蓋。電容器9是通過導電性材料的配線與對應的下部電極2電連接的，所述配線是按照貫通設置于基板I和下部電極2之間的絕緣膜11的方式而形成的。由此，可以使由下部電極2所捕集的電荷移動至電容器9。薄膜晶體管10中，柵極15、柵絕緣膜16和活性層(通道層)17層疊，進一步源極18和漏極19隔著預定的間隔形成于活性層17上。活性層17例如可以由非晶硅或非晶質氧化物、有機半導體材料、碳納米管等形成。需要說明的是，構成活性層17的材料并不限于這些材料。作為能夠構成活性層17的非晶質氧化物，優(yōu)選為含有In、Ga和Zn中的至少一種元素的氧化物(例如In-O系)，更優(yōu)選為含有In、Ga和Zn中的至少兩種元素的氧化物(例如In-Zn-O系、In-Ga-O系、Ga-Zn-O系)，特別優(yōu)選為含有In、Ga和Zn的氧化物。作為In-Ga-Zn-O系非晶質氧化物，優(yōu)選結晶狀態(tài)下的組成由InGaO3 (ZnO)niGii為小于6的自然數(shù))表示的非晶質氧化物，特別是，更優(yōu)選為InGaZn04。需要說明的是，能夠構成活性層17的非晶質氧化物并不限于這些材料。作為能夠構成活性層17的有機半導體材料，可以舉出酞菁化合物、并五苯、酞菁氧釩等，但并不限于這些材料。需要說明的是，對于酞菁化合物的構成，由于在日本特開2009-212389號公報中已經詳細地進行了說明，因此省略其說明。若將薄膜晶體管10的活性層17制成由非晶質氧化物、有機半導體材料、碳納米管形成的層，則不會吸收X射線等放射線、或者即使吸收也僅為極微量的吸收，因此可以有效地抑制信號輸出部14中的噪聲的發(fā)生。另外，利用碳納米管來形成活性層17的情況下，可以使薄膜晶體管10的開關速度高速化，并且，可以形成可見光區(qū)域中的光的吸收程度低的薄膜晶體管10。需要說明的是，利用碳納米管來形成活性層17的情況下，只是在活性層17中混入極微量的金屬性雜質，薄膜晶體管10的性能就會明顯下降，因此需要通過離心分離等將極高純度的碳納米管進行分離、萃取出，由此來形成活性層17。
此處，上述的非晶質氧化物、有機半導體材料、碳納米管、有機光電轉換材料均能夠在低溫下進行成膜。因此，作為基板1，并不限于半導體基板、石英基板和玻璃基板等耐熱性高的基板，也可以使用塑料等撓性基板、芳族聚酰胺、生物納米纖維。具體來說，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚酰亞胺、聚環(huán)烯烴、降冰片烯樹脂、聚(三氟氯乙烯)等撓性基板。如果使用這種塑料制的撓性基板，則也可以實現(xiàn)輕量化，例如對攜帶搬運等是有利的。另外，在基板I上可以設置用于確保絕緣性的絕緣層、用于防止水分和氧的透過的氣體阻隔層、用于提高平坦性或與電極等的密合性的底涂層等。芳族聚酰胺能夠適用200度以上的高溫工藝，因此可以使透明電極材料高溫固化從而低電阻化，另外，也能夠應對包含回流焊接工序的驅動IC的自動安裝。另外，芳族聚酰胺的熱膨脹系數(shù)與ITO(銦錫氧化物(indium tin oxide))或玻璃基板相近，因此制造后的 翹曲少，不易破裂。另外，與玻璃基板等相比，芳族聚酰胺能夠較薄地形成基板。需要說明的是，可以通過將超薄型玻璃基板和芳族聚酰胺層積來形成基板I。生物納米纖維是通過將細菌(醋酸菌Acetobacter Xylinum)產出的纖維素微纖絲束(細菌纖維素)和透明樹脂復合而得到的。纖維素微纖絲束具有50nm的寬度，該寬度是可見光波長的十分之一的尺寸，并且纖維素微纖絲束為高強度、高彈性、低熱膨脹。通過將丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂等透明樹脂浸潰于細菌纖維素中并進行固化，從而可以獲得包含60% 70%的纖維并同時在500nm的波長下顯示出約90%的透光率的生物納米纖維。生物納米纖維具有與硅晶體相匹敵的低熱膨脹系數(shù)(3ppm 7ppm)、與鋼鐵相同程度的強度(460MPa)、高彈性(30GPa)，并且是柔性的，因此與玻璃基板等相比，能夠較薄地形成基板
Io另外，如上所述，在本實施方式的放射線檢測器20中，閃爍體8A通過直接蒸鍍于TFT基板30上而形成，但并不限于此，也可以利用各種方法來進行放射線檢測器20的制造。表I中，示出了放射線檢測器20的制造方法的4種示例。表I
制造方法閃爍體8A界面結構閃爍體8B
模式I ^ 直接蒸鍍貼合涂布
獻2_謹涂布
間接蒸鍍+TFT基模式3板貼合、蒸鍍基板貼合或接觸涂布
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間接蒸鍍 蒸鍍丁·閃模式4 爍體8Β上)+TFT - 涂布_ 基板貼合 __在基于模式I的制造方法中，利用直接蒸鍍將閃爍體8Α形成于TFT基板30上，另一方面，將反射層12形成于由聚對苯二甲酸乙二醇酯等構成的基底層22上后，利用涂布將閃爍體8Β形成于反射層12上。并且，利用接合等將閃爍體8Α的與TFT基板30側相反一側的面(柱狀結晶的前端側)和閃爍體8B的與反射層12側相反一側的面貼合。另外，在基于模式2的制造方法中，與模式I同樣地，利用直接蒸鍍將閃爍體8A形成于TFT基板30上，另一方面，將反射層12形成于由聚對苯二甲酸乙二醇酯等構成的基底層22上，然后利用涂布等將閃爍體SB形成于反射層12上。并且，在使閃爍體8A的與TFT基板30側相反一側的面(柱狀結晶的前端側)和閃爍體SB的與反射層12側相反一側的面相互接觸(押當 )的狀態(tài)下，對放射線檢測器20整體進行疊加加工(層疊加工)。另一方面，在基于模式3的制造方法中，利用蒸鍍將閃爍體8Α形成于未圖示的蒸鍍基板上，另一方面，與模式1、2同樣地將反射層12形成于由聚對苯二甲酸乙二醇酯等構成的基底層22上，然后利用涂布將閃爍體SB形成于反射層12上。并且，利用接合等將閃爍體8Α的與蒸鍍基板側相反的一側(柱狀結晶的前端側)貼合于TFT基板30上，從閃爍體8Α上將上述蒸鍍基板剝離，另一方面，利用接合等使閃爍體8Α的與TFT基板30側相反一側的面和閃爍體8Β的與反射層12側相反一側的面貼合或為相互接觸(押當 )的狀 態(tài)。進一步，在基于模式4的制造方法中，與模式I 3同樣地將反射層12形成于由聚對苯二甲酸乙二醇酯等構成的基底層22上，然后利用涂布等將閃爍體SB形成于反射層12上。并且，利用蒸鍍將閃爍體8Α形成于閃爍體SB上，利用接合等將閃爍體8Α的與閃爍體8Β側相反一側(柱狀結晶的前端側)的面貼合于TFT基板30。在該模式4中，非柱狀部并非形成于TFT基板30側，而是形成于閃爍體SB側。需要說明的是，優(yōu)選進行控制以使得閃爍體8Α的各柱狀部的前端部盡可能平坦。具體來說，可以通過對蒸鍍結束時的被蒸鍍基板的溫度進行控制來實現(xiàn)。例如，如果使蒸鍍結束時的被蒸鍍基板的溫度為110°C，則前端角度大約為170度；如果使蒸鍍結束時的被蒸鍍基板的溫度為140°C，則前端角度大約為60度；如果使蒸鍍結束時的被蒸鍍基板的溫度為200°C，則前端角度大約為70度；如果使蒸鍍結束時的被蒸鍍基板的溫度為260°C，則前端角度大約為120度。需要說明的是，對于該控制，由于在日本特開2010-25620號公報中已經詳細地進行了說明，因此省略進一步的說明。另一方面，在TFT基板30中，如圖5所示，通過含有上述的傳感部13、電容器9、薄膜晶體管10而構成的像素32在一定方向(圖5的行方向)和與該一定方向交叉的方向(圖5的列方向)二維地設置有2個以上。另外，在放射線檢測器20中，設置有多條柵極配線34和多條數(shù)據(jù)配線36，所述多條柵極配線34在上述一定方向(行方向)上延伸設置、用于開啟和關閉各薄膜晶體管10，所述多條數(shù)據(jù)配線36在上述交叉方向(列方向)上延伸設置、用于經由開啟狀態(tài)的薄膜晶體管10來讀出電荷。放射線檢測器20為平板狀，在俯視中呈外邊緣具有4個邊的四邊形狀。具體來說，形成為矩形狀。接著，對將該放射線檢測器20內藏來拍攝放射線圖像的可搬運型的放射線圖像攝影裝置(以下稱作“電子盒”)40的構成進行說明。圖6中，示出了表示本實施方式的電子盒40的構成的立體圖。如圖6所示，該電子盒40具備由可使放射線透過的材料構成的平板狀的筐體41，并且為具有防水性、密閉性的結構。在筐體41的內部，從被放射線X照射的筐體41的照射面?zhèn)龋来闻湓O有將透過了被照射物的放射線X檢測出的放射線檢測器20、和吸收放射線X的背散射射線的鉛板43。筐體41的平板狀的一個面的與放射線檢測器20的配設位置對應的區(qū)域為能夠檢測出放射線的四邊形狀的攝影區(qū)域41A。如圖7所示，按照TFT基板30處于攝影區(qū)域41A側的方式來配置放射線檢測器20，并將該放射線檢測器20貼附于構成攝影區(qū)域41A的筐體41內側。另外，在筐體41的內部的一端側，在不與放射線檢測器20重疊的位置(攝影區(qū)域41A的范圍外)，配置有用于收納后述的盒控制部58和電源部70的箱體42。圖8中示出了表示本實施方式的電子盒40的電氣系統(tǒng)的要部構成的方塊圖。
放射線檢測器20中，在相鄰2邊的一邊側配置有柵線驅動52，在另一邊側配置有信號處理部54。TFT基板30的每個柵極配線34均與柵線驅動52連接，TFT基板30的每個數(shù)據(jù)配線36均與信號處理部54連接。另外，在筐體41的內部還具備圖像存儲器56、盒控制部58和無線通信部60。利用從柵線驅動52經由柵極配線34所供給的信號，TFT基板30的各薄膜晶體管10以行為單位依次開啟，由開啟狀態(tài)的薄膜晶體管10讀出的電荷以電信號的形式由數(shù)據(jù)配線36傳送而輸入至信號處理部54。由此，電荷以行為單位被依次讀出，從而能夠取得二維狀的放射線圖像。雖然省略了圖示，但信號處理部54中，針對每個數(shù)據(jù)配線36均具備對所輸入的電信號進行增幅的增幅電路和采樣保持電路，由各個數(shù)據(jù)配線36所傳送的電信號在增幅電路中被增幅，然后保持在采樣保持電路中。另外，在采樣保持電路的輸出側依次連接有多路轉換器、A/D (模擬/數(shù)字)轉換器，保持于各個采樣保持電路中的電信號依次(串聯(lián)地)被輸入至多路轉換器中，利用A/D轉換器轉換為數(shù)字的圖像數(shù)據(jù)。圖像存儲器56與信號處理部54連接，由信號處理部54的A/D轉換器所輸出的圖像數(shù)據(jù)依次被存儲至圖像存儲器56中。圖像存儲器56具有能夠儲存預定張數(shù)的圖像數(shù)據(jù)的儲存容量，每進行一次放射線圖像的攝影，由攝影得到的圖像數(shù)據(jù)被依次存儲至圖像存儲器56。圖像存儲器56與盒控制部58相連接。盒控制部58由微型計算機構成，并且配置有CPU (中央處理器)58A、含有ROM (只讀存儲器(Read Only Memory))和RAM (隨機存取存儲器(Random Access Memory))的存儲器58B、由閃存等構成的非易失性存儲部58C,對電子盒40整體的動作進行控制。另外，無線通信部60與盒控制部58連接。無線通信部60對應于以IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) 802. I la/b/g/n 等為代表的無線LAN(局域網(wǎng)(Local Area Network))規(guī)格,利用無線通信來控制與外部設備之間的各種信息的傳送。盒控制部58通過無線通信部60而能夠與控制放射線攝影整體的控制臺等外部裝置進行無線通信，能夠在與控制臺之間進行各種信息的發(fā)送和接收。另外，電子盒40中設置有電源部70，上述的各種電路和各元件(柵線驅動52、信號處理部54、圖像存儲器56、無線通信部60和發(fā)揮盒控制部58功能的微型計算機)是利用由電源部70所供給的電力而工作的。電源部70中，按照不損害電子盒40的可搬運性的方式內藏有電池(能夠充電的二次電池)，由充電后的電池向各種電路和元件供給電力。需要說明的是，在圖8中，省略了連接電源部70與各種電路和各元件的配線。
接著，對本實施方式的電子盒40的作用進行說明。本實施方式的電子盒40在進行放射線圖像的攝影的情況下，使攝影區(qū)域41A為上，并如圖7所示，使電子盒40與產生放射線的放射線發(fā)生裝置80留出間隔進行配置，在攝影區(qū)域上配置有患者的攝影對象部位B。放射線發(fā)生裝置80射出與預先賦予的攝影條件等對應的放射劑量的放射線X。由放射線發(fā)生裝置80射出的放射線X透過攝影對象部位B而負載了圖像信息，然后照射至電子盒40。由放射線發(fā)生裝置80照射的放射線X透過攝影對象部位B后，到達至電子盒40。由此，在內藏于電子盒40的放射線檢測器20的各傳感部13中產生了與照射的放射線X的劑量相對應的電荷，由傳感部13產生的電荷被蓄積在電容器9中。·
在放射線X的照射結束后，盒控制部58對柵線驅動52進行控制，從柵線驅動52以一條線一條線的方式依次向放射線檢測器20的各柵極配線34輸出開啟信號，從而進行圖像信息的讀出。由放射線檢測器20讀出的圖像信息被存儲至圖像存儲器56。然而，如圖7所示，本實施方式的電子盒40中，按照從TFT基板30側照射放射線X的方式內藏有放射線檢測器20。此處，如圖9所示，放射線檢測器20中，在TFT基板30的與放射線X的入射側相反一側的面上層積有通過含有柱狀結晶而構成的閃爍體8A，在閃爍體8A的與TFT基板30側(放射線X的入射側)相反的一側層積有閃爍體8B。因此，在放射線檢測器20中，閃爍體8A的與TFT基板30層積的一側的面的發(fā)光比其他面強。因此，與從閃爍體8B側照射放射線X的情況相比，閃爍體8A的發(fā)光位置靠近基板，因此可以提高由攝影所得到的放射線圖像的分辨率，結果可以提高所得到的放射線圖像的品質。另外，在放射線檢測器20中，由閃爍體8B產生的第2光通過由閃爍體8A的柱狀結晶所帶來的導光功能而被有效地引導至TFT基板30，因此從該點考慮，也能夠提高放射線圖像的品質。進一步，在放射線檢測器20中，能夠使閃爍體SB吸收在閃爍體8A中無法吸收的放射線，因此能夠使通過含有成本較高的柱狀結晶而構成的閃爍體8A的厚度變薄，結果可以抑制成本。另外，在放射線檢測器20中，在閃爍體8A中設置有非柱狀部，因此可以提高與TFT基板30的密合性。然而，非柱狀部并不是必需的，也可以為不設置非柱狀部的方式。另外，放射線檢測器20中，是利用有機光電轉換材料來構成光電轉換膜4的,光電轉換膜4幾乎不吸收放射線。因此，本實施方式的放射線檢測器20中，利用ISS的構成，放射線X透過TFT基板30，但由光電轉換膜4所吸收的放射線的吸收量少，因此，可以抑制對于放射線X的感度下降。若為ISS，則放射線X透過TFT基板30而到達至閃爍體8A和閃爍體8B，如此，在由有機光電轉換材料構成TFT基板30的光電轉換膜4的情況下，光電轉換膜4中幾乎沒有放射線的吸收，可以將放射線X的衰減抑制在較少水平，因此適于ISS。另外，構成薄膜晶體管10的活性層17的非晶質氧化物和構成光電轉換膜4的有機光電轉換材料均能夠在低溫下進行成膜。因此，可以利用放射線吸收少的塑料樹脂、芳族聚酰胺、生物納米纖維來形成基板I。如此形成的基板I的放射線的吸收量少，因此即使是在利用ISS使放射線透過TFT基板30的情況下，也可以抑制對于放射線X的感度下降。
另外，根據(jù)本實施方式，如圖7所示，按照TFT基板30處于攝影區(qū)域41A側的方式 將放射線檢測器20貼附于筐體41內的攝影區(qū)域41A部分，在利用剛性高的塑料樹脂、芳族 聚酰胺、生物納米纖維來形成基板1的情況下，由于放射線檢測器20自身的剛性高，因此可 以較薄地形成筐體41的攝影區(qū)域41A部分。另外，利用剛性高的塑料樹脂、芳族聚酰胺、生 物納米纖維來形成基板1的情況下，由于放射線檢測器20自身具有撓性，因此即使在對攝 影區(qū)域41A施加沖擊的情況下，放射線檢測器20也不易破損。需要說明的是，在本實施方式中，對于TFT基板30的要形成閃爍體8A的表面上設 置有透明絕緣膜7的情況進行了說明，但并不限于此，也可以為不設置透明絕緣膜7而直接 將閃爍體8A形成于TFT基板30的上面的方式。[第2實施方式]接著，對第2實施方式進行說明。首先，參照圖10，對本第2實施方式的間接轉換方式的放射線檢測器20B的構成進 行說明。該放射線檢測器20B中，按照TFT基板30A、閃爍體8A、閃爍體8B和與TFT基板30A 為同樣構成的TFT基板30B的順序進行了層積，所述TFT基板30A是通過在絕緣性基板1 上依次形成信號輸出部14、傳感部13和透明絕緣膜7而構成的，像素部由TFT基板30A和 TFT基板30B的信號輸出部14、傳感部13構成。對于像素部來說，在基板1上配置有2個 以上的像素部，并按照各像素部中的信號輸出部14和傳感部13具有重疊方式而構成。需 要說明的是，TFT基板30B是通過在絕緣性基板1上依次形成信號輸出部14(第2開關元 件)、傳感部13(第2光電轉換元件)和透明絕緣膜7而構成的。需要說明的是，閃爍體8A和閃爍體8B與設置于第1實施方式中的放射線檢測器 20中的閃爍體相同，因此此處省略其說明。另外，對于傳感部13和信號輸出部14的構成， 也與上述第1實施方式的放射線檢測器20的傳感部13和信號輸出部14相同，因此此處省 略其說明。并且，本實施方式的放射線檢測器20B中，也是利用直接蒸鍍將閃爍體8A形成于 TFT基板30A上的，但并不限于此，可以利用各種方法來進行放射線檢測器20B的制造。表 2中，示出了放射線檢測器20B的制造方法的4種示例。表權利要求
1.一種放射線檢測器，其中，該放射線檢測器具備 基板，從該基板一面照射放射線、從另一面照射光，該基板具有第I光電轉換元件和第I開關元件，所述第I光電轉換元件產生與所述光對應的電荷，所述第I開關元件用于讀出由所述第I光電轉換元件產生的電荷； 第I熒光體層，該第I熒光體層層積于所述基板的所述另一面上，產生與隔著基板所照射的放射線對應的第I光，并且，該第I熒光體層通過含有柱狀結晶而構成； 和 第2熒光體層，該第2熒光體層層積于所述第I熒光體層的與所述基板相反的一側的面上，產生與隔著所述第I熒光體層所照射的放射線對應的第2光，并且，該第2熒光體層吸收的放射線的能量特性與所述第I熒光體層不同； 從所述另一面照射的光由所述第I光和所述第2光中的至少任意一種構成。
2.如權利要求I所述的放射線檢測器，其中，所述第I熒光體層在與所述基板層積的面形成有非柱狀結晶。
3.如權利要求I或權利要求2所述的放射線檢測器，其中，所述第2熒光體層在與所述第I熒光體層層積的面的相反側的面上層積有反射層。
4.如權利要求I所述的放射線檢測器，其中，所述放射線檢測器進一步具備第2基板，所述第2基板設置于所述第2熒光體層的與所述第I熒光體層層積的面的相反側的面上，并具有第2光電轉換元件和第2開關元件，所述第2光電轉換元件產生與由所述第2熒光體層產生的第2光對應的電荷，所述第2開關元件用于讀出由所述第2光電轉換元件產生的電荷。
5.如權利要求I所述的放射線檢測器，其中，所述放射線檢測器進一步具備第2基板，所述第2基板設置于所述第I熒光體層和所述第2熒光體層之間，并具有第2光電轉換元件和第2開關元件，所述第2光電轉換元件產生與由所述第2熒光體層產生的第2光對應的電荷，所述第2開關元件用于讀出由所述第2光電轉換元件產生的電荷。
6.如權利要求5所述的放射線檢測器，其中，所述第I熒光體層的與所述基板層積的一側為所述柱狀結晶的前端部。
7.如權利要求5或權利要求6所述的放射線檢測器，其中，所述第2熒光體層在與所述第2基板層積的面的相反側的面上層積有反射層。
8.如權利要求5或權利要求6所述的放射線檢測器，其中，所述第2基板的所述第2光電轉換元件是通過含有有機光電轉換材料而構成的。
9.如權利要求5或權利要求6所述的放射線檢測器，其中，所述基板和所述第2基板中的至少一方為柔性基板。
10.如權利要求I或權利要求2、或權利要求4至權利要求6的任一項所述的放射線檢測器，其中，所述第I熒光體層的所述柱狀結晶的前端部被平坦地形成。
11.如權利要求I或權利要求2、或權利要求4至權利要求6的任一項所述的放射線檢測器，其中，所述第2熒光體層是通過含有下述材料而構成的，所述材料由原子序數(shù)比構成所述柱狀結晶的元素的原子序數(shù)大的元素構成。
12.如權利要求I或權利要求2、或權利要求4至權利要求6的任一項所述的放射線檢測器，其中，所述第I熒光體層是通過含有CsI的柱狀結晶而構成的，所述第2熒光體層是通過含有GOS而構成的。
13.如權利要求I或權利要求2、或權利要求4至權利要求6的任一項所述的放射線檢測器，其中，該放射線檢測器進一步具備緩沖層，所述緩沖層介于所述柱狀結晶的前端部和該前端部的層積對象物之間，至少與所述前端部直接層積，并且所述緩沖層對于可見光具有透過性。
14.如權利要求I或權利要求2、或權利要求4至權利要求6的任一項所述的放射線檢測器，其中，該放射線檢測器進一步具備半反射層，所述半反射層介于所述第I熒光體層和所述第2熒光體層之間，所述半反射層使來自所述第I熒光體層的光反射，使來自所述第2突光體層的光透過。
15.一種放射線圖像攝影裝置，其具備權利要求I或權利要求2、或權利要求4至權利要求6的任一項所述的放射線檢測器、和生成圖像信息的生成單元，所述圖像信息是通過由所述放射線檢測器讀出的電荷而顯示的。
16.一種放射線圖像攝影裝置，其具備權利要求4或權利要求5所述的放射線檢測器、和制作單元，在所述制作單元中，對每個對應的像素，將通過由所述放射線檢測器所具備的所述基板和所述第2基板讀出的電荷而顯示的圖像信息進行相加，從而制作新的圖像信肩、O
全文摘要
本發(fā)明提供放射線檢測器和放射線圖像攝影裝置，它們可以在不使成本上升的情況下，提高所得到的放射線圖像的品質。在放射線檢測器(20)中，從TFT基板(30)的一個面照射放射線，從另一面照射由第1光和第2光中的至少任意一種構成的光，并且將閃爍體(8A)層積于TFT基板(30)的所述另一面上，將閃爍體(8B)層積于閃爍體(8A)的與TFT基板(30)相反一側的面上，TFT基板(30)具有產生與所述光對應的電荷的第1光電轉換元件和用于讀出由所述第1光電轉換元件產生的電荷的第1開關元件，閃爍體(8A)產生與隔著TFT基板(30)所照射的放射線對應的第1光、并且通過含有柱狀結晶而構成，閃爍體(8B)產生與隔著閃爍體(8A)所照射的放射線對應的第2光、并且所吸收的放射線的能量特性與閃爍體(8A)不同。
文檔編號A61B6/00GK102949197SQ20121029899
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月21日 優(yōu)先權日2011年8月26日
發(fā)明者西納直行, 巖切直人, 中津川晴康, 佐藤圭一郎, 大田恭義 申請人:富士膠片株式會社