專利名稱：一種mri磁信號(hào)增強(qiáng)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及MRI領(lǐng)域，具體地涉及ー種MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件。
背景技術(shù)：
核磁共振(MRI)成像系統(tǒng)的原理是利用線圈去檢測(cè)原子核自旋吸收和發(fā)射的無線電波脈沖能量，該線圈作為接收線圈，在有些時(shí)候還同時(shí)作為發(fā)射線圈。在無線電波脈沖能量的幫助下，核磁共振成像掃描儀可以定位患者體內(nèi)ー個(gè)非常小的點(diǎn)，然后確定這是何種類型的組織。核磁共振成像機(jī)器采用特定于氫原子的無線電頻率脈沖。系統(tǒng)引導(dǎo)脈沖 對(duì)準(zhǔn)所要檢查的身體區(qū)域，并導(dǎo)致該區(qū)域的質(zhì)子吸收使它們以不同方向旋轉(zhuǎn)或旋進(jìn)所需的能量。這是核磁共振成像裝置的“共振”部分。無線電頻率脈沖迫使它們(指每一百萬質(zhì)子中多余的一對(duì)或者兩對(duì)不匹配的質(zhì)子)在特定頻率下按照特定方向旋轉(zhuǎn)。引發(fā)共振的特定頻率被稱為拉摩爾頻率，該值是根據(jù)要成像的特定組織以及主磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度計(jì)算得出的。無線電頻率脈沖通常利用一個(gè)線圈來提供，該線圈稱為發(fā)射線圈。現(xiàn)有核磁共振成像設(shè)備的接收線圈必須相當(dāng)近地接近待測(cè)部位，以獲取由待測(cè)部位釋放出來的磁信號(hào)。MRI成像設(shè)備的清晰度與主磁場(chǎng)強(qiáng)度呈正相關(guān)，主磁場(chǎng)磁鐵系統(tǒng)是MRI成像設(shè)備的主要部分，為了提升MRI成像系統(tǒng)的成像質(zhì)量，一般需要更換整臺(tái)MRI成像設(shè)備，造價(jià)十分高昂。超材料是指ー些具有天然材料所不具備的超常物理性質(zhì)的人工復(fù)合結(jié)構(gòu)或復(fù)合材料。通過在材料的關(guān)鍵物理尺度上的結(jié)構(gòu)有序設(shè)計(jì)，可以突破某些表觀自然規(guī)律的限制，從而獲得超出自然界固有的普通性質(zhì)的超常材料功能。超材料的性質(zhì)和功能主要來自于其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)而非構(gòu)成它們的材料。目前，現(xiàn)有的金屬人造微結(jié)構(gòu)的幾何形狀為“エ”字形或者如圖I所示的類似“凹”字形的開ロ環(huán)形，但這結(jié)構(gòu)都不能實(shí)現(xiàn)磁導(dǎo)率μ明顯小于O或使超材料諧振頻率降低，也不能實(shí)現(xiàn)各向同性，只有通過設(shè)計(jì)具有特殊幾何圖形的金屬人造微結(jié)構(gòu)，才能使得該人工電磁材料在特定頻段內(nèi)達(dá)到磁導(dǎo)率μ值小于0，并具有較低的諧振頻率。目前，國(guó)際社會(huì)對(duì)磁導(dǎo)率方面已有大量的研究，其中對(duì)于正磁導(dǎo)率的研究已經(jīng)趨于成熟，對(duì)于負(fù)磁導(dǎo)率超材料的研究是現(xiàn)在國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)，負(fù)磁導(dǎo)率具有量子極化作用，可以對(duì)入射波產(chǎn)生極化作用，因此作用范圍很大，如在醫(yī)學(xué)成像領(lǐng)域中的磁共振成像技木，負(fù)磁導(dǎo)率材料能夠加強(qiáng)電磁波的成像效果，另外負(fù)磁導(dǎo)率材料在透鏡研究方面亦有重要作用，在工程領(lǐng)域，磁導(dǎo)率通常都是指相對(duì)磁導(dǎo)率，為物質(zhì)的絕對(duì)磁導(dǎo)率μ與磁性常數(shù)μ。(又稱真空磁導(dǎo)率)的比值，Ur= μ/μ O，無量綱值。通常“相対”二字及符號(hào)下標(biāo)r都被省去。磁導(dǎo)率是表示物質(zhì)受到磁化場(chǎng)H作用時(shí)，內(nèi)部的真磁場(chǎng)相對(duì)于H的增加(μ > I)或減少(μ < I)的程度。至今發(fā)現(xiàn)的自然界已存在的材料中，μ —般是大于O的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供ー種MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件，該MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件為負(fù)磁導(dǎo)率超材料，增強(qiáng)MRI成像設(shè)備的成像質(zhì)量，同時(shí)，MRI成像設(shè)備的成像質(zhì)量增強(qiáng)，能夠使MRI成像設(shè)備的接收線圈不必緊靠待測(cè)部位，増加MRI成像設(shè)備使用的舒適性。本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)發(fā)明目的采用的技術(shù)方案為提供ー種MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件，該MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件包括外殼以及設(shè)置在外殼內(nèi)的至少ー層負(fù)磁導(dǎo)率超材料，負(fù)磁導(dǎo)率超材料包括基板及多個(gè)周期性陣列排布在基板兩側(cè)面的第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)，第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)通過ー個(gè)金屬過孔相連，第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)均為方形螺繞環(huán)，方形螺繞環(huán)繞線圈數(shù)為4圈，第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)的尺寸為15_X 15mm,基板排布有第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)的兩側(cè)面垂直于MRI成像設(shè)備的磁信號(hào)接收線圏。優(yōu)選地，MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件的尺寸為300_X 300_。
優(yōu)選地，MRI成像設(shè)備的場(chǎng)強(qiáng)為I. 5T。優(yōu)選地,第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)的線寬均為O. 50-1. 50mm。優(yōu)選地,第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)的線間距均為O. 05-0. 15mm。優(yōu)選地，第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)的線厚度均為O. 03-0. 05mm。優(yōu)選地，基板包括第一基板和第二基板，第一基板和第二基板均為FR-4有機(jī)高分子基板或陶瓷基板。優(yōu)選地，第一基板厚度為O. 15-0. 20mm。優(yōu)選地，第二基板的厚度為O. 05-0. 10mm。優(yōu)選地，金屬過孔的孔徑為O. 50-0. 90mm。本發(fā)明的有益效果是提供ー種MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件，MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件利用負(fù)磁導(dǎo)率超材料的磁導(dǎo)率為負(fù)這一特性，達(dá)到信號(hào)增強(qiáng)的效果，使MRI成像設(shè)備的成像效果更好，同吋，MRI設(shè)備成像質(zhì)量增強(qiáng)，能夠令MRI成像設(shè)備的接收線圈不必緊靠待測(cè)部位，增加MRI成像設(shè)備使用的舒適性。


圖1，現(xiàn)有技術(shù)負(fù)磁導(dǎo)率超材料人造微結(jié)構(gòu)不意圖；圖2，MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件示意圖；圖3，本發(fā)明負(fù)磁導(dǎo)率超材料結(jié)構(gòu)示意圖；圖4，本發(fā)明第一人造微結(jié)構(gòu)示意圖；圖5，本發(fā)明第二人造微結(jié)構(gòu)示意圖；圖6，現(xiàn)有技術(shù)負(fù)磁導(dǎo)率超材料仿真效果示意圖；圖7，本發(fā)明負(fù)磁導(dǎo)率超材料仿真效果示意圖；圖8，無MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件球形水膜矢狀面效果圖；圖9，有MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件球形水膜矢狀面效果圖；圖10，無MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件動(dòng)物離體冠狀面效果圖；圖11，有MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件動(dòng)物離體冠狀面效果圖；圖12，MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件_接收線圈_待測(cè)部位位置示意圖； 圖中，10負(fù)磁導(dǎo)率超材料，12外殼，I第一人造微結(jié)構(gòu)，2第二人造微結(jié)構(gòu)，3金屬過孔，4第一基板，5第二基板，6連接結(jié)構(gòu)，101MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件，102接收線圏，103待測(cè)部位。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。圖I所示為現(xiàn)有技術(shù)中的類似“凹”字形的開ロ環(huán)形人造微結(jié)構(gòu)，這種形狀的人造微結(jié)構(gòu)能使超材料磁導(dǎo)率為負(fù)，但達(dá)到負(fù)磁導(dǎo)率的諧振頻率較高，如圖6所示，上述人造微結(jié)構(gòu)形狀達(dá)到磁導(dǎo)率為負(fù)的諧振頻率超過350MHz。圖2為MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件101示意圖，本發(fā)明MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件101包括外殼12及設(shè)置在外殼12內(nèi)的至少ー層負(fù)磁導(dǎo)率超材料10。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的外殼12起到支撐、保護(hù)內(nèi)層負(fù)磁導(dǎo)率超材料10的作用，在測(cè)量ー些特殊部位如腿部、頸部時(shí)，可對(duì)外殼12和超材料10進(jìn)行共形設(shè)計(jì)，便于用戶根據(jù)具體需要使用。若外殼12內(nèi)部有兩層以上負(fù)磁導(dǎo)率超材料10，可將其同軸平行固定。圖3示出了本發(fā)明負(fù)磁導(dǎo)率超材料結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明負(fù)磁導(dǎo)率超材料包括基板及多個(gè)周期性陣列排布在基板兩側(cè)的第一人造微結(jié)構(gòu)I和第二人造微結(jié)構(gòu)2，第一人造微結(jié)構(gòu)I和第二人造微結(jié)構(gòu)2通過ー個(gè)金屬過孔3相連。第一人造微結(jié)構(gòu)I與第二人造微結(jié)構(gòu)2通過金屬過孔3連接，金屬過孔3的孔徑為O. 50-0. 90mm，第一人造微結(jié)構(gòu)I和第二人造微結(jié)構(gòu)2的連接方式如下第一人造微結(jié)構(gòu)I和第二人造微結(jié)構(gòu)2上均有連接結(jié)構(gòu)6，兩連接結(jié)構(gòu)6通過金屬過孔3相連，連接結(jié)構(gòu)6為導(dǎo)電材料，如金屬銅、金屬銀、導(dǎo)電塑料等。應(yīng)當(dāng)理解，第一人造微結(jié)構(gòu)I和第二人造微結(jié)構(gòu)2在基板4的表面呈周期性排布，如圖3所示，例如呈矩形陣列排布，即以ー χ方向?yàn)樾?、以垂直于χ方向的y方向?yàn)榱械嘏帕?，且各行間距、各列間距分別相等，甚至行間距等于列間距均可。優(yōu)選行間距、列間距不大于所要響應(yīng)的入射電磁波的波長(zhǎng)的四分之一，即例如工作環(huán)境是波長(zhǎng)為λ的電磁波，需要超材料對(duì)此電磁波的電磁特性是呈現(xiàn)負(fù)磁導(dǎo)率，則設(shè)計(jì)人造微結(jié)構(gòu)時(shí)將上述行間距、列間距選擇不大于四分之一波長(zhǎng)，優(yōu)選為十分之一波長(zhǎng)。圖4為本發(fā)明第一人造微結(jié)構(gòu)I示意圖、圖5為本發(fā)明第二人造微結(jié)構(gòu)2示意圖，第一人造微結(jié)構(gòu)I和第二人造微結(jié)構(gòu)2均為方形螺繞環(huán)，如圖4、圖5所示，方形螺繞環(huán)通常為金屬線，如銅線、銀線、銅合金，甚至是金線，也可以是由至少兩種金屬制成的合金，甚至是非金屬的導(dǎo)電材料。本發(fā)明方形螺繞環(huán)繞線圈數(shù)為4圈，第一人造微結(jié)構(gòu)I和第二人造微結(jié)構(gòu)2的尺寸為15_X 15_。應(yīng)當(dāng)理解,本發(fā)明第一人造微結(jié)構(gòu)I和第二人造微結(jié)構(gòu)2的線寬為O. 05-0. 15mm,第一人造微結(jié)構(gòu)I和第二人造微結(jié)構(gòu)2的線間距為O. 03-0. 05mm,第一人造微結(jié)構(gòu)I和第二人造微結(jié)構(gòu)2的線厚度為O. 05-0. 15mm。應(yīng)當(dāng)理解，本文的ー圈，是指如圖4所示，以開ロ諧振環(huán)所圍成的環(huán)形內(nèi)部的一點(diǎn)為極坐標(biāo)的極點(diǎn)Oe,開ロ諧振環(huán)兩末端點(diǎn)中離極點(diǎn)Oe近的ー個(gè)末端點(diǎn)到極點(diǎn)的連線為該極坐標(biāo)的極軸，取逆時(shí)針為正方向，則沿開ロ諧振環(huán)上的每一點(diǎn)依次用極坐標(biāo)(Pe，Θ)來表示，每到ー個(gè)360度為ー圈，直到達(dá)到開ロ諧振環(huán)的離極點(diǎn)遠(yuǎn)的另一末端點(diǎn)。應(yīng)當(dāng)理解，基板為FR-4有機(jī)高分子基板或陶瓷基板，第一基板4的厚度為 O. 15-0. 20mm，第二基板 5 的厚度為 O. 05-0. 10mm。圖7為本發(fā)明負(fù)磁導(dǎo)率超材料仿真效果示意圖，仿真軟件與圖6使用的仿真軟件均為CSTMICR0WAVESTUDI02010，仿真參數(shù)為方形螺繞環(huán)采用銅線，銅線線寬1mm，銅線線間距O. Imm,銅線線厚度O. 035mm,第一基板4為FR-4環(huán)氧樹脂基板,其厚度為O. 164mm,第ニ基板5為FR-4環(huán)氧樹脂基板,其厚度為O. 06mm,第一人造微結(jié)構(gòu)I和第二人造微結(jié)構(gòu)2的尺寸為15mmX 15mm,繞線4圈，金屬過孔3的孔徑為O. 7mm,由仿真結(jié)果可知,本發(fā)明負(fù)磁導(dǎo)率超材料實(shí)現(xiàn)磁導(dǎo)率為-I的諧振頻率在63. 6MHz,與現(xiàn)有技術(shù)相比，大大降低了負(fù)磁導(dǎo)率超材料的諧振頻率，I. 5T的MRI系統(tǒng)頻率與上述頻率接近，因而諧振頻率為63. 6MHz的MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件101能夠提高I. 5T的MRI成像設(shè)備的成像質(zhì)量?；谏鲜龅椭C振頻率負(fù)磁導(dǎo)率超材 料，制成如圖2所示的MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件101,MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件101內(nèi)部負(fù)磁導(dǎo)率超材料的基板排布有第一人造微結(jié)構(gòu)I和第二人造微結(jié)構(gòu)2的兩側(cè)面垂直于MRI成像設(shè)備的磁信號(hào)接收線圈102，當(dāng)MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件101中的負(fù)磁導(dǎo)率超材料在磁導(dǎo)率為負(fù)時(shí)，且諧振頻率與MRI工作頻率相同的情況下，負(fù)磁導(dǎo)率超材料與MRI成像設(shè)備的接收線圈產(chǎn)生響應(yīng)，增強(qiáng)接收線圈的磁信號(hào)，進(jìn)而增強(qiáng)MRI成像設(shè)備的成像質(zhì)量。為證實(shí)本發(fā)明MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件能夠增強(qiáng)MRI成像設(shè)備的成像效果，做了如下實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)I水膜實(shí)驗(yàn)a.將球形水膜置于場(chǎng)強(qiáng)為I. 5T的MRI成像設(shè)備接收線圈與發(fā)射線圈之間，由于球形水膜下部靠近接收線圈，得到的球形水膜矢狀面圖自上而下均勻變亮，上述球形水膜矢狀面圖的平均灰度值為83. 73，平均SNR值(信噪比)為163，參見圖8。b.參見圖12,即MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件101內(nèi)部負(fù)磁導(dǎo)率超材料的基板排布有第一人造微結(jié)構(gòu)I和第二人造微結(jié)構(gòu)2的兩側(cè)面垂直于MRI成像設(shè)備的磁信號(hào)接收線圈102，球形水膜(待測(cè)部位103)置于MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件101與接收線圈102之間。如圖9所示，得到的球形水膜矢狀面圖的圖像亮度明顯提高，測(cè)得其平均灰度值為116. 31，平均SNR值為 189. 57。由此可知，加入本發(fā)明MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件101后得到的球形水膜矢狀面圖的平均灰度值增加了 38. 9%，平均SNR值增加了 16.3%。實(shí)驗(yàn)2動(dòng)物離體實(shí)驗(yàn)a.動(dòng)物離體實(shí)驗(yàn)選擇的動(dòng)物離體為新鮮豬腳，將動(dòng)物離體置于場(chǎng)強(qiáng)為I. 5T的MRI成像設(shè)備的接收線圈102和發(fā)射線圈之間，得到動(dòng)物離體冠狀面效果圖如圖10所示，測(cè)得其平均灰度值為53. 87，標(biāo)準(zhǔn)偏差值為93. 96。b.將MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件101置于動(dòng)物離體左手位，MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件101內(nèi)部負(fù)磁導(dǎo)率超材料的基板排布有第一人造微結(jié)構(gòu)I和第二人造微結(jié)構(gòu)2的兩側(cè)面垂直于MRI成像設(shè)備的磁信號(hào)接收線圈102，動(dòng)物離體(待測(cè)部位103)置于MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件101與接收線圈102之間，其他條件不變，測(cè)得動(dòng)物離體冠狀面效果圖更加清晰、明亮，動(dòng)物離體的肌肉、骨骼紋理更加清晰，其平均灰度值為65. 13，標(biāo)準(zhǔn)偏差值為115. 55，參見圖11。由此可知，動(dòng)物離體冠狀面效果圖的平均灰度值比無MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件101增加了 20. 9%，標(biāo)準(zhǔn)偏差值增加了 23%。提高了 MRI成像設(shè)備的成像質(zhì)量。MRI成像設(shè)備的成像質(zhì)量增強(qiáng)，能使MRI成像設(shè)備的接收線圈102不必緊靠待測(cè)部位，増加MRI成像設(shè)備使用的舒適性。
本發(fā)明中的上述實(shí)施例僅作了示范性描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀本專利申請(qǐng)后可以在不脫離本 發(fā)明的精神和范圍的情況下對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改。
權(quán)利要求
1.ー種MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件，其特征在于，所述MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件包括外殼以及設(shè)置在外殼內(nèi)的至少ー層負(fù)磁導(dǎo)率超材料，所述負(fù)磁導(dǎo)率超材料包括基板及多個(gè)周期性陣列排布在基板兩側(cè)面的第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)，所述第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)通過ー個(gè)金屬過孔相連，所述第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)均為方形螺繞環(huán)，所述方形螺繞環(huán)繞線圈數(shù)為4圈，所述第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)的尺寸為15mmX 15mm,所述基板排布有所述第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)的兩側(cè)面垂直于MRI成像設(shè)備的磁信號(hào)接收線圏。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件，其特征在于，所述MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件的尺寸為300mmX300mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件，其特征在于，所述MRI成像設(shè)備的場(chǎng)強(qiáng)為 I. 5T。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件，其特征在于，所述第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)的線寬均為O. 50-1. 50mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件，其特征在于，所述第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)的線間距均為O. 05-0. 15mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件，其特征在于，所述第一人造微結(jié)構(gòu)和第二人造微結(jié)構(gòu)的線厚度均為O. 03-0. 05mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件，其特征在于，所述基板包括第一基板和第二基板，所述第一基板和第二基板均為FR-4有機(jī)高分子基板或陶瓷基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件，其特征在于，所述第一基板厚度為O. 15-0. 20mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件，其特征在干，所述第二基板的厚度為O. 05-0. IOmm0
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件，其特征在于，所述金屬過孔的孔徑為O. 50-0. 90mm。
全文摘要
本發(fā)明提供一種MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件，該MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件包括外殼以及設(shè)置在外殼內(nèi)的至少一層負(fù)磁導(dǎo)率超材料，該負(fù)磁導(dǎo)率超材料為經(jīng)過特殊設(shè)計(jì)的低頻負(fù)磁導(dǎo)率超材料，當(dāng)MRI磁信號(hào)增強(qiáng)器件中的負(fù)磁導(dǎo)率超材料在磁導(dǎo)率為負(fù)、諧振頻率與MRI工作頻率近似相同的情況下，負(fù)磁導(dǎo)率超材料與MRI成像設(shè)備的接收線圈產(chǎn)生響應(yīng)，增強(qiáng)接收線圈的磁信號(hào)，進(jìn)而增強(qiáng)MRI成像設(shè)備的成像質(zhì)量，MRI成像設(shè)備的成像質(zhì)量增強(qiáng)，能夠使MRI成像設(shè)備的接收線圈不必緊靠待測(cè)部位，增加MRI成像設(shè)備使用的舒適性。
文檔編號(hào)A61B5/055GK102683883SQ20121013309
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月28日
發(fā)明者余銓強(qiáng), 劉若鵬, 欒琳, 郭潔 申請(qǐng)人:深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司