基于rfid射頻技術(shù)的無(wú)源微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種基于RFID射頻技術(shù)的無(wú)源微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片。其特征在于：該系統(tǒng)由基帶芯片模塊（1）、ASIC芯片模塊（2）、天線（3）、PCB（4）、其他電路元件（5）、激勵(lì)基準(zhǔn)電極（6）、激勵(lì)電極組（7）、生物兼容外殼（8）連接組成；本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，便于制作；能夠有效，及時(shí)，連續(xù)地發(fā)射多種具有治療神經(jīng)疾病功能的激勵(lì)信號(hào)，該信號(hào)源可以分布在人體體內(nèi)深度在0到5CM內(nèi)的合適的位置。本實(shí)用新型所述的神經(jīng)芯片通過一組微型激勵(lì)電極向人體神經(jīng)組織發(fā)射有效的激勵(lì)電流。神經(jīng)介入芯片讀寫器可通過指令激活合適的電極點(diǎn)陣達(dá)到最佳治療效果。
【專利說明】基于RFID射頻技術(shù)的無(wú)源微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片
[0001]【技術(shù)領(lǐng)域】本實(shí)用新型涉及一種基于RFID射頻技術(shù)的無(wú)源微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片。
[0002]【背景技術(shù)】諸多疾病與神經(jīng)系統(tǒng)的損傷有關(guān)。如中樞神經(jīng)系統(tǒng)周圍神經(jīng)系統(tǒng)植物神
[0003]經(jīng)系統(tǒng)的損傷會(huì)誘發(fā)和導(dǎo)致感覺、運(yùn)動(dòng)、意識(shí)、植物神經(jīng)功能障礙等多種疾病。
[0004]這些疾病以可對(duì)病人產(chǎn)生不同程度的疼痛。目前，神經(jīng)系統(tǒng)疾病和疼痛的治療
[0005]技術(shù)和手段是一個(gè)亟待發(fā)展的領(lǐng)域。美國(guó)專利US 6895280 B2設(shè)計(jì)了一種脊髓
[0006]神經(jīng)刺激儀(Spinal cord stimulat1n),簡(jiǎn)稱(SCS))。該設(shè)備植入人體
[0007]內(nèi)，其工作電極與脊髓神經(jīng)節(jié)點(diǎn)連接，電極亦可穿過脊髓直達(dá)肩部。該技術(shù)對(duì)
[0008]多種神經(jīng)系統(tǒng)疾病有效，如反射性神經(jīng)不良疾病(RSD)。該產(chǎn)品結(jié)構(gòu)復(fù)雜，植
[0009]入方式難度高，成本巨大。中國(guó)專利CN201310537668提出一種利用癌性疼痛治
[0010]療藥物對(duì)癌癥病人進(jìn)行疼痛治療。盡管藥物治療疼痛是目前的主要方法，但該
[0011]方法病理響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)，作用時(shí)間短，一般具有明顯的副作用。CN203564311U提
[0012]出一種采用穿刺針治療疼痛的方法。該技術(shù)在一定程度闊展了藥物治療的范圍，
[0013]對(duì)某些疾病有特殊療效。但該技術(shù)操作困難，且治療面較窄。CN203355134U設(shè)
[0014]計(jì)了一種術(shù)后疼痛治療儀，通過作用于人體的皮膚電流達(dá)到疼痛治療的目的。
[0015]該方法簡(jiǎn)單，使用面較廣，但由于工作電極很難準(zhǔn)確定位，且作用于人體外表
[0016]皮，效果較差。中國(guó)專利CN302012071S實(shí)用新型了一種射頻疼痛治療儀。該技術(shù)使
[0017]用高頻電磁場(chǎng)對(duì)患者疼痛出進(jìn)行輻射治療。使用效果主要以神經(jīng)疼痛治療為主。
[0018]中國(guó)CN201220664704.5提出了一種微創(chuàng)皮下生化參數(shù)檢測(cè)芯片技術(shù)，該產(chǎn)品可
[0019]以完全植入人體體內(nèi)，芯片被動(dòng)式地接收來至掃描器的高頻電磁能量作為系統(tǒng)
[0020]的工作電源，整個(gè)芯片系統(tǒng)的外觀尺寸只有直徑為1.5麗，長(zhǎng)10麗大小。該芯
[0021]片集成了微型生化傳感器，模擬信號(hào)處理，電子標(biāo)簽(RFID)模塊等多種功能。
[0022]該芯片體積小，無(wú)內(nèi)部電源，植入過程簡(jiǎn)單(注射器直接在皮下注射)，因此
[0023]如果在該技術(shù)基礎(chǔ)上，在芯片內(nèi)集成一組微型電極，即可形成一個(gè)微型化的，
[0024]可分布式植入人體內(nèi)部的智能電流激勵(lì)電極系統(tǒng)。該電極系統(tǒng)可產(chǎn)生各種治療
[0025]神經(jīng)疾病的有效激勵(lì)電流信號(hào)并可最大限度地接近病發(fā)神經(jīng)系統(tǒng)。基于以上設(shè)
[0026]計(jì)思想，本實(shí)用新型提出一個(gè)基于RFID技術(shù)平臺(tái)的無(wú)源智能電流激勵(lì)芯片，可用于
[0027]多種神經(jīng)介入治療場(chǎng)合。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0028]本實(shí)用新型為解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0029]基于RFID射頻技術(shù)的無(wú)源微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片，其特征在于:由基帶
[0030]芯片模塊、ASIC芯片模塊、天線、PCB、其他電路元件、激勵(lì)基準(zhǔn)電極、激勵(lì)電極組和生物兼容外殼連接組成；它們的連接關(guān)系是:由ASIC芯片模塊產(chǎn)生的激勵(lì)電流通過激勵(lì)電極組施加在特定的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)線路，經(jīng)過其他電路元件中的可調(diào)阻抗模塊回到激勵(lì)基準(zhǔn)電極，以形成電流回路；由神經(jīng)介入芯片讀卡器發(fā)出的控制信號(hào)經(jīng)過天線接收后，經(jīng)調(diào)制解調(diào)/時(shí)鐘模塊解調(diào)后送至基帶芯片模塊，基帶芯片模塊根據(jù)所收到的指令確定激勵(lì)電流的大小和電壓波形以及確定激發(fā)最佳的激勵(lì)電極，該信號(hào)經(jīng)過模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊與模擬開關(guān)送至所確定的激勵(lì)電極組；所述的其他電路元件是可調(diào)阻抗電路，外接天線諧振電容。
[0031]所述的ASIC芯片模塊由數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊，脈沖電路和模擬開關(guān)組成；以上模塊與基帶芯片模塊，電流激勵(lì)電極組一起組成該神經(jīng)介入芯片信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路。
[0032]所述激勵(lì)電極組表面鍍有鈦合金或鍍金，安裝在PCB上，裸漏在殼體外面的部分形成凸起以增加放電強(qiáng)度。
[0033]所述神經(jīng)介入芯片外殼涂有生物兼容性涂層，對(duì)環(huán)境中的水分和酸堿組分有良好的阻抗作用，所述生物兼容性涂層為=Parylene納米分子鍍膜或Peek分子鍍膜。
[0034]所述電流激勵(lì)電極組采用多電極結(jié)構(gòu)。
[0035]所述電流激勵(lì)電極組還與激勵(lì)基準(zhǔn)電極形成激勵(lì)電流回路。激勵(lì)基準(zhǔn)電極在神經(jīng)介入芯片的外殼一端形成，并且與其他電路元件中的可調(diào)阻抗電路構(gòu)成串聯(lián)回路；該回路的阻抗受模擬開關(guān)控制，用以輸出至神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)線路的激勵(lì)電流的強(qiáng)度。本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，便于制作；在八31(:芯片與RFID基帶芯片的復(fù)合結(jié)構(gòu)框架下所設(shè)計(jì)的微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片是一個(gè)無(wú)內(nèi)部電源，全植入式，分布式的微型系統(tǒng)，對(duì)于治療由于神經(jīng)系統(tǒng)損傷所造成的多種疾病有重要的臨床意義，與目前所用的各種技術(shù)和產(chǎn)品相比具有獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)。該神經(jīng)介入芯片能夠通過注射器輕易地植入在人體體內(nèi)，其能量來自與芯片本身非接觸的讀卡系統(tǒng)，該讀卡器可在距離植入芯片0-5CM的范圍內(nèi)工作。該芯片具有多個(gè)電流激勵(lì)電極，可通過讀卡器選擇位置最佳的電極單獨(dú)或協(xié)同工作。RFID基帶芯片可以通過指令改變激勵(lì)電極的工作電壓的幅度與波形。該微型芯片可以采用多組同時(shí)植入的方式工作以達(dá)到可靠和高效的治療效果。本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的神經(jīng)芯片采用生物兼容性涂層，可以長(zhǎng)期植入在人體體內(nèi)。該芯片基準(zhǔn)電極設(shè)置在電流激勵(lì)電極的相反方向以形成穩(wěn)定，可靠的電流回路。由于本實(shí)用新型涉及的神經(jīng)芯片采用體內(nèi)植入方式和多個(gè)激勵(lì)電極結(jié)構(gòu)，與傳統(tǒng)的各種體外電刺激療法、針灸療法、其他物理療法如激光、紅外療法相比，具有更有效的治療效果，特別是對(duì)手術(shù)后疼痛的治療，由于其設(shè)計(jì)原理的獨(dú)特性，具有更好的效果。本實(shí)用新型所涉及的創(chuàng)新技術(shù)使該芯片具有多種應(yīng)用前景。在人體傷害性刺激損傷的外周區(qū)域，經(jīng)常使用非甾體類抗炎藥和激素類藥物來進(jìn)行疼痛治療，也可采用經(jīng)皮電刺激或神經(jīng)阻斷方式。本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的神經(jīng)介入芯片可以直接植入在后根神經(jīng)、交感神經(jīng)附近，該芯片的激勵(lì)電流可直接作用于有髓神經(jīng)纖維、無(wú)髓神經(jīng)纖維、交感神經(jīng)纖維、上行傳導(dǎo)束下行傳導(dǎo)束等處，可明顯改善治療效果。脊髓丘腦側(cè)束是硬膜外激素和麻醉藥的作用部位，丘腦是阿片類藥物的作用靶位，該神經(jīng)芯片可以很容易地植入在這些區(qū)域。本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的神經(jīng)介入芯片還可替代脊髓神經(jīng)刺激儀對(duì)很多神經(jīng)系統(tǒng)受損而導(dǎo)致的疾病進(jìn)行治療，如反射性交感神經(jīng)營(yíng)養(yǎng)不良(RSD)等。本實(shí)用新型的有益效果是:
[0036]1.微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片基于RFID射頻技術(shù)和ASIC技術(shù)。基于RFID射頻技術(shù)的特點(diǎn)，該芯片能夠通過與讀卡器交換指令實(shí)現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)工作參數(shù)的設(shè)定和優(yōu)化。
[0037]2.微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片無(wú)內(nèi)部電源，可長(zhǎng)期植入人體體內(nèi)。
[0038]3.微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片采用現(xiàn)代微機(jī)械技術(shù)加工工藝，從而其微小的體積能夠輕易地通過注射方法全植入在人體體內(nèi)。
[0039]4.微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片采用Parylene納米分子鍍膜或Peek分子鍍膜,并結(jié)合先進(jìn)的表面調(diào)質(zhì)工藝作為外殼的表面涂層材料，充分地保證了芯片系統(tǒng)的生物兼容性。
[0040]5.微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片具有多組電流激勵(lì)電極，可對(duì)電極進(jìn)行優(yōu)化和配置。
[0041]6.該系統(tǒng)基帶芯片設(shè)計(jì)基于低頻RFID標(biāo)準(zhǔn)，采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝實(shí)現(xiàn)所有的系統(tǒng)功能，制造工藝成熟簡(jiǎn)單，讀卡器與標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備兼容。
[0042]7.該植入式微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片通過有髓神經(jīng)纖維、無(wú)髓神經(jīng)纖維、交感神經(jīng)纖維、上行傳導(dǎo)束、下行傳導(dǎo)束、脊脊髓丘腦側(cè)束作用于交感神經(jīng)節(jié)、后根神經(jīng)節(jié)、邊緣神經(jīng)、丘腦、大腦皮層，從而達(dá)到對(duì)于相關(guān)疾病的治療目的。
[0043]8.該植入式微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片對(duì)于軀體性疼痛，內(nèi)臟性疼痛，神經(jīng)源性疼痛的治療均可應(yīng)用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0044]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0045]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為ASIC芯片模塊結(jié)構(gòu)；圖3為本實(shí)用新型基帶芯片模塊周圍電路。
[0046]圖中:1.基帶芯片模塊、2.ASIC芯片模塊、3.天線、4.PCB、5.其他電路元件、6.激勵(lì)基準(zhǔn)電極、7.激勵(lì)電極組、8.生物兼容外殼、9.數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊、10.脈沖電路、11.模擬開關(guān)、12.RF電磁耦合電路、13.整流電路、14.電源管理模塊、15.溫度傳感器、16.儲(chǔ)存單元、17.信號(hào)調(diào)制解調(diào)單元。
[0047]【具體實(shí)施方式】基于RFID射頻技術(shù)的無(wú)源微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片，其特征在于:
由基帶
[0048]芯片模塊UASIC芯片模塊2、天線3、PCB4、其他電路元件5、激勵(lì)基準(zhǔn)電極6、激勵(lì)電極組7和生物兼容外殼8連接組成；它們的連接關(guān)系是:由ASIC芯片模塊2產(chǎn)生的激勵(lì)電流通過激勵(lì)電極組7施加在特定的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)線路，經(jīng)過其他電路元件5中的可調(diào)阻抗模塊回到激勵(lì)基準(zhǔn)電極6，以形成電流回路；由神經(jīng)介入芯片讀卡器21發(fā)出的控制信號(hào)經(jīng)過天線3接收后，經(jīng)調(diào)制解調(diào)/時(shí)鐘模塊解調(diào)后送至基帶芯片模塊I，基帶芯片模塊I根據(jù)所收到的指令確定激勵(lì)電流的大小和電壓波形以及確定激發(fā)最佳的激勵(lì)電極，該信號(hào)經(jīng)過模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊(9)與模擬開關(guān)11送至所確定的激勵(lì)電極組7 ;所述的其他電路元件5是可調(diào)阻抗電路，外接天線諧振電容。
[0049]所述的ASIC芯片模塊2由數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊9，脈沖電路10和模擬開關(guān)11組成；以上模塊與基帶芯片模塊1，電流激勵(lì)電極組7 —起組成該神經(jīng)介入芯片信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路。
[0050]所述激勵(lì)電極組7表面鍍有鈦合金或鍍金，安裝在PCB4上，裸漏在殼體外面的部分形成凸起以增加放電強(qiáng)度。
[0051]所述神經(jīng)介入芯片外殼涂有生物兼容性涂層，對(duì)環(huán)境中的水分和酸堿組分有良好的阻抗作用，所述生物兼容性涂層為=Parylene納米分子鍍膜或Peek分子鍍膜。
[0052]所述電流激勵(lì)電極組7采用多電極結(jié)構(gòu)。
[0053]所述電流激勵(lì)電極組7還與激勵(lì)基準(zhǔn)電極6形成激勵(lì)電流回路。激勵(lì)基準(zhǔn)
[0054]電極6在神經(jīng)介入芯片的外殼一端形成，并且與其他電路元件5中的可調(diào)阻抗電路構(gòu)成串聯(lián)回路；該回路的阻抗受模擬開關(guān)控制，用以輸出至神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)線路的激勵(lì)電流的強(qiáng)度。
[0055]使用時(shí)，該芯片植入后，在神經(jīng)介入芯片讀卡器的激勵(lì)下，其內(nèi)置天線感應(yīng)來自讀卡器的射頻電磁場(chǎng)而產(chǎn)生感應(yīng)電壓，由此驅(qū)動(dòng)基帶芯片1、ASIC芯片2以及其他電路5、脈沖電路10工作。因而通過模擬開關(guān)11選擇驅(qū)動(dòng)電流激勵(lì)電極組圖7向周圍區(qū)域發(fā)射特定的電壓脈沖。該脈沖以特定的方式激勵(lì)周圍的神經(jīng)組織而達(dá)到預(yù)期的治療目的。本實(shí)用新型的神經(jīng)介入芯片是在ASIC芯片與RFID基帶芯片的復(fù)合結(jié)構(gòu)框架下所設(shè)計(jì)的。如圖3所示，天線3接收到來自周圍神經(jīng)芯片讀卡器發(fā)射的射頻信號(hào)和電磁能量，經(jīng)過RF電磁耦合電路12，整流電路13，電源管理模塊14后，產(chǎn)生合適的具有一定功率的電壓信號(hào)從而啟動(dòng)神經(jīng)介入芯片工作。存儲(chǔ)單元14保存由讀卡器所下達(dá)的指令中所設(shè)置的系統(tǒng)工作參數(shù)，如:激勵(lì)電壓幅度、波形、脈沖長(zhǎng)度、激勵(lì)電極代號(hào)。激勵(lì)電極代號(hào)的選取由模擬開關(guān)11觸發(fā)?；鶐酒凑疹A(yù)定的工作流程和來至讀卡器的指令，通過ADC模塊9對(duì)溫度傳感器15進(jìn)行采樣，該參數(shù)可用來對(duì)整個(gè)芯片的工作狀態(tài)進(jìn)行評(píng)估和檢測(cè)。如果芯片處于正常工作狀態(tài)，開始通過DAC模塊9啟動(dòng)脈沖電路單元10和模擬開關(guān)11進(jìn)而激活特定的激勵(lì)電極7。根據(jù)病人對(duì)激勵(lì)電流的效果的反饋信息，操作人員對(duì)讀卡器的指令進(jìn)行調(diào)整和選擇來確定最佳的激勵(lì)方式。讀卡器與神經(jīng)介入芯片之間的信息交換是通過信號(hào)調(diào)制/解調(diào)單元12實(shí)現(xiàn)的。本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可用醫(yī)用注射器直接植入人體體內(nèi)。根據(jù)發(fā)病的類型和位置，該芯片可長(zhǎng)期或短期植入在距離人體皮膚表面0-5CM的范圍內(nèi)。該芯片的植入角度需根據(jù)患者的實(shí)際情況確定。對(duì)于大部分所涉及的疾病，醫(yī)生可根據(jù)醫(yī)學(xué)知識(shí)和臨床經(jīng)驗(yàn)來確定神經(jīng)介入芯片在人體體內(nèi)的植入部位。該過程帶來的植入誤差可通過激勵(lì)信號(hào)的強(qiáng)度和波形來消除。一般而言，該芯片的激勵(lì)電極不需與神經(jīng)未梢直接接觸。激勵(lì)電極與神經(jīng)未梢之間的距離在一定程度上決定激勵(lì)信號(hào)的強(qiáng)度。該距離越遠(yuǎn)，所需要的激勵(lì)強(qiáng)度越大。在某些場(chǎng)合，如果是對(duì)應(yīng)的較為敏感的植入?yún)^(qū)域，如丘腦附近，該芯片植入定位時(shí)可借助X-RAY機(jī)來完成。當(dāng)患者不再需要神經(jīng)介入芯片的治療時(shí)，如果植入深度在2CM以下，可以采用特殊設(shè)計(jì)得的剝離注射器直接將芯片取出。在植入深度較大時(shí)，可以采用微型手術(shù)將芯片取出。
【權(quán)利要求】
1.基于即10射頻技術(shù)的無(wú)源微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片，其特征在于:由基帶芯片模塊(1)、…X芯片模塊(2)、天線(3)、？08 (4)、其他電路元件(5)、激勵(lì)基準(zhǔn)電極(6)、激勵(lì)電極組(7)和生物兼容外殼(8)連接組成；它們的連接關(guān)系是:由八31(:芯片模塊(2)產(chǎn)生的激勵(lì)電流通過激勵(lì)電極組(7)施加在特定的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)線路，經(jīng)過其他電路元件(5)中的可調(diào)阻抗模塊回到激勵(lì)基準(zhǔn)電極(6),以形成電流回路；由神經(jīng)介入芯片讀卡器發(fā)出的控制信號(hào)經(jīng)過天線(3)接收后，經(jīng)調(diào)制解調(diào)/時(shí)鐘模塊解調(diào)后送至基帶芯片模塊(1),基帶芯片模塊(1)根據(jù)所收到的指令確定激勵(lì)電流的大小和電壓波形以及確定激發(fā)最佳的激勵(lì)電極，該信號(hào)經(jīng)過模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊(幻、脈沖電路(10)與模擬開關(guān)(11)送至所確定的激勵(lì)電極組(了)；所述的其他電路元件(5 )是可調(diào)阻抗電路，外接天線諧振電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于即10射頻技術(shù)的無(wú)源微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片，其特征在于:所述的…X芯片模塊(2)由數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊(9),脈沖電路(10)和模擬開關(guān)(11)組成；以上模塊與基帶芯片模塊(1),電流激勵(lì)電極組(7) —起組成該神經(jīng)介入芯片信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于即10射頻技術(shù)的無(wú)源微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片，其特征在于:所述激勵(lì)電極組(7)表面鍍有鈦合金或鍍金，安裝在？⑶(4)上，裸漏在殼體外面的部分形成凸起以增加放電強(qiáng)度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于即10射頻技術(shù)的無(wú)源微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片，其特征在于:所述神經(jīng)介入芯片外殼涂有生物兼容性涂層，對(duì)環(huán)境中的水分和酸堿組分有良好的阻抗作用，所述生物兼容性涂層為:？犯'71的6納米分子鍍膜或？6士分子鍍膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于即10射頻技術(shù)的無(wú)源微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片，其特征在于:所述電流激勵(lì)電極組(7)采用多電極結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的基于即10射頻技術(shù)的無(wú)源微創(chuàng)皮下神經(jīng)介入芯片，其特征在于:所述電流激勵(lì)電極組(7)還與激勵(lì)基準(zhǔn)電極(6)形成激勵(lì)電流回路；激勵(lì)基準(zhǔn)電極(6 )在神經(jīng)介入芯片的外殼一端形成，并且與其他電路元件(5 )中的可調(diào)阻抗電路構(gòu)成串聯(lián)回路；該回路的阻抗受模擬開關(guān)控制，用以輸出至神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)線路的激勵(lì)電流的強(qiáng)度。
【文檔編號(hào)】A61N1/375GK204147431SQ201420375909
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月9日
【發(fā)明者】龐德興, 龍瓊珍 申請(qǐng)人:龐德興, 龍瓊珍