專利名稱：正畸托槽上涂敷含氟緩釋涂層以預(yù)防牙釉質(zhì)脫礦的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬口腔正畸治療技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種在牙齒正畸治療中預(yù)防牙釉質(zhì)脫礦的方法。
背景技術(shù)：
在對(duì)牙齒進(jìn)行固定正畸治療時(shí)，由于矯治器的長(zhǎng)時(shí)間使用，以及托槽、鋼絲、結(jié)扎絲及其它正畸附件的使用，造成牙齒，特別是托槽周邊牙面不易清潔，所以在接受正畸治療的病人中普遍存在著一種因口腔衛(wèi)生不良而造成的牙釉質(zhì)脫礦的表現(xiàn)——釉白斑，且隨著療程的增長(zhǎng)而加劇，嚴(yán)重者還有可能發(fā)展成早期釉質(zhì)齲。據(jù)國(guó)外統(tǒng)計(jì)資料報(bào)道，正畸病人中釉白斑的發(fā)生率約為50-70％。
近年來(lái)，在正畸矯正過(guò)程中為了預(yù)防釉質(zhì)脫礦采取了多種方法，包括①酸蝕前或酸蝕后使用氟化泡沫；②粘接托槽或帶環(huán)后以及治療過(guò)程中定期用氟化鈉處理牙面；③患者日常使用含氟牙膏并配合含氟溶液含漱；④使用含有飽和的氟化物的彈性結(jié)扎橡皮圈；⑤使用口內(nèi)氟離子釋放裝置(IFRD)；⑥使用含氟的封閉劑封閉托槽周圍牙面；⑦使用氟緩釋粘接材料。
以上方法只局限于對(duì)牙面和粘結(jié)劑的處理，這些方法需要額外占用椅旁操作時(shí)間，且需要患者在正畸過(guò)程中配合預(yù)防，非常不方便。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種正畸托槽上涂敷含氟緩釋涂層以預(yù)防牙釉質(zhì)脫礦的方法，解決了現(xiàn)有方法操作不方便的問(wèn)題，且效果顯著。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是，在正畸托槽的表面涂敷含氟緩釋涂層。
含氟緩釋涂層選自以下材料的一種或一種以上的組合CaF2、MgF2、NaF或含氟羥基磷灰石。當(dāng)選用一種以上的組合時(shí)，每種材料的比份可任意選取。
含氟緩釋涂層采用磁控濺射法或溶膠凝膠法涂敷到正畸托槽的表面。
磁控濺射法是按以下步驟進(jìn)行，首先將含氟緩釋涂層材料粉球磨12～48小時(shí)，壓制成圓片，經(jīng)1100℃～1300℃高溫?zé)Y(jié)制成靶材，然后采用射頻磁控濺射在正畸托槽表面，濺射3～5小時(shí)，即在正畸托槽表面形成緩釋涂層。
磁控濺射的最佳參數(shù)為，頻率13.56MHz，濺射功率250W～350W，工作氬氣壓強(qiáng)0.7Pa～2Pa，靶基距60mm～70mm。
溶膠凝膠法是按以下步驟進(jìn)行，首先將含氟緩釋涂層材料制成溶膠，將正畸托槽浸入溶膠，以0.1mm/min～0.5mm/min的速度提拉，然后在100℃～200℃干燥1～2小時(shí)，經(jīng)300℃～800℃熱處理1～3小時(shí)，即在正畸托槽表面形成緩釋涂層。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比有如下有益效果1.對(duì)正畸托槽進(jìn)行功能化處理，操作方便，本發(fā)明的方法將正畸治療與預(yù)防釉質(zhì)脫礦融為了一體，正畸過(guò)程中既包含預(yù)防，不需要額外占用椅旁操作時(shí)間，亦無(wú)需患者另行配合，極大的方便了患者和正畸師。
2.正畸托槽表面涂敷的含氟緩釋涂層能將其所含的氟離子長(zhǎng)期緩慢持續(xù)地釋放于托槽下及周圍牙面，起到防止釉質(zhì)脫礦、促進(jìn)釉質(zhì)再礦化的作用，由于氟離子釋放時(shí)間長(zhǎng)而且緩慢連續(xù)，所以預(yù)防釉質(zhì)脫礦的效果佳，臨床應(yīng)用證明脫礦率不到2％。
具體實(shí)施例方式
下面通過(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
采用磁控濺射法或溶膠凝膠法在正畸托槽的表面涂敷含氟緩釋涂層，含氟緩釋涂層選自以下材料的一種或一種以上的組合CaF2、MgF2、NaF或含氟羥基磷灰石，一種以上組合時(shí)，各成分之間沒(méi)有配比要求。
實(shí)施例1選用CaF2作為涂層材料，采用磁控濺射法。首先將CaF2粉在轉(zhuǎn)速300轉(zhuǎn)/分的球磨機(jī)中球磨24小時(shí)，壓制成Φ60*5的圓片，經(jīng)1250℃高溫?zé)Y(jié)制成靶材，然后采用射頻磁控濺射在正畸托槽表面，濺射條件為頻率13.56MHz，濺射功率250W，工作氬氣壓強(qiáng)1.5Pa，靶基距65mm，濺射3小時(shí)，即在正畸托槽表面制得含CaF2的緩釋涂層。
實(shí)施例2選用MgF2作為涂層材料，采用溶膠凝膠法。首先將MgF2制成溶膠，將正畸托槽浸入溶膠，以0.1mm/min的速度提拉，然后在100℃干燥1小時(shí)，經(jīng)650℃熱處理3小時(shí)，即得到含MgF2的緩釋涂層。
實(shí)施例3選用含氟羥基磷灰石作為涂層材料，采用溶膠凝膠法。首先將含氟羥基磷灰石制成溶膠，將正畸托槽浸入溶膠，以0.5mm/min的速度提拉，然后在200℃干燥2小時(shí)，經(jīng)300℃熱處理1小時(shí)，即得到含氟羥基磷灰石緩釋涂層。
實(shí)施例4選用CaF2和NaF的組合粉料作為涂層材料，采用磁控濺射法。首先將CaF2和NaF的組合粉料在轉(zhuǎn)速500轉(zhuǎn)/分的球磨機(jī)中球磨12小時(shí)，壓制成圓片，經(jīng)1300℃高溫?zé)Y(jié)制成靶材，然后采用射頻磁控濺射在正畸托槽表面，濺射條件為頻率13.56MHz，濺射功率300W，工作氬氣壓強(qiáng)1Pa，靶基距70mm，濺射5小時(shí)，即在正畸托槽表面制得CaF2和NaF的組合物的緩釋涂層。
實(shí)施例5選用MgF2和含氟羥基磷灰石的組合粉料作為涂層材料，采用溶膠凝膠法。將MgF2和含氟羥基磷灰石的組合粉料制成溶膠，將正畸托槽浸入溶膠，以0.3mm/min的速度提拉，然后在150℃干燥2小時(shí)，經(jīng)500℃熱處理2小時(shí)，即得到MgF2和含氟羥基磷灰石緩釋涂層。
實(shí)施例6選用CaF2、MgF2、NaF和含氟羥基磷灰石的組合粉料作為涂層材料，采用磁控濺射法。將CaF2、MgF2、NaF和含氟羥基磷灰石的組合粉料在轉(zhuǎn)速400轉(zhuǎn)/分的球磨機(jī)中球磨48小時(shí)，壓制成圓片，經(jīng)1100℃高溫?zé)Y(jié)制成靶材，然后采用射頻磁控濺射在正畸托槽表面，濺射條件為頻率13.56MHz，濺射功率250W，工作氬氣壓強(qiáng)2Pa，靶基距70mm，濺射4小時(shí)，即在正畸托槽表面制得CaF2、MgF2、NaF和含氟羥基磷灰石的組合物緩釋涂層。
實(shí)施例7選用CaF2、MgF2、NaF的組合粉料作為涂層材料，采用磁控濺射法。將CaF2、MgF2、NaF的組合粉料在轉(zhuǎn)速300轉(zhuǎn)/分的球磨機(jī)中球磨48小時(shí)，壓制成圓片，經(jīng)1200℃高溫?zé)Y(jié)制成靶材，然后采用射頻磁控濺射在正畸托槽表面，濺射條件為頻率13.56MHz，功率350W，工作氬氣壓強(qiáng)0.7Pa，靶基距60mm，濺射5小時(shí)，即在正畸托槽表面制得CaF2、MgF2和NaF的組合物緩釋涂層。
實(shí)施例8
選用MgF2、NaF和含氟羥基磷灰石的組合粉料作為涂層材料，采用溶膠凝膠法。將MgF2、NaF和含氟羥基磷灰石的組合粉料制成溶膠，將正畸托槽浸入溶膠，以0.2mm/min的速度提拉，然后在200℃干燥2小時(shí)，經(jīng)600℃熱處理2小時(shí)，即得到MgF2、NaF和含氟羥基磷灰石緩釋涂層。
實(shí)施例9選用SnF2和SiF4的組合粉料作為涂層材料，采用磁控濺射法。將SnF2和SiF4的組合粉料在轉(zhuǎn)速300轉(zhuǎn)/分的球磨機(jī)中球磨48小時(shí)，壓制成圓片，經(jīng)1200℃高溫?zé)Y(jié)制成靶材，然后采用射頻磁控濺射在正畸托槽表面，濺射條件為頻率13.56MHz，功率350W，工作氬氣壓強(qiáng)0.7Pa，靶基距60mm，濺射5小時(shí)，即在正畸托槽表面制得SnF2和SiF4的組合物緩釋涂層。
實(shí)施例10選用NH4F作為涂層材料，采用溶膠凝膠法。將NH4F制成溶膠，將正畸托槽浸入溶膠，以0.2mm/min的速度提拉，然后在200℃干燥2小時(shí)，經(jīng)600℃熱處理2小時(shí)，即得到NH4F緩釋涂層。
以下是實(shí)驗(yàn)對(duì)比240例采用固定矯治器的錯(cuò)頜患者，其中第一組80例使用含氟緩釋涂層的托槽，第二組80例使用普通托槽，用氟化鈉涂膜處理，以后每三個(gè)月涂布一次，第三組80例使用普通托槽，不做任何處理。經(jīng)一段時(shí)期后，檢測(cè)，第一組使用含氟緩釋涂層托槽的脫礦率僅為1.8％，第二組使用氟化鈉涂膜處理的普通托槽的脫礦率為8.7％，第三組使用不做任何處理的普通托槽，脫礦率為28.3％。
以上試驗(yàn)數(shù)據(jù)說(shuō)明了采用本發(fā)明的方法預(yù)防牙釉質(zhì)脫礦的效果顯著。
本發(fā)明的方法適用于金屬、塑料、陶瓷等各種材料，也不局限于形狀。
權(quán)利要求
1.一種正畸托槽上涂敷含氟緩釋涂層以預(yù)防牙釉質(zhì)脫礦的方法，其特征在于在正畸托槽的表面涂敷含氟緩釋涂層。
2.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述含氟緩釋涂層選自以下材料的一種或一種以上的組合CaF2、MgF2、NaF或含氟羥基磷灰石。
3.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述含氟緩釋涂層采用磁控濺射法或溶膠凝膠法涂敷到正畸托槽的表面。
4.按照權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述磁控濺射法是按以下步驟進(jìn)行，首先將含氟緩釋涂層材料粉球磨12～48小時(shí)，壓制成圓片，經(jīng)1100℃～1300℃高溫?zé)Y(jié)制成靶材，然后采用射頻磁控濺射在正畸托槽表面，濺射3～5小時(shí)，即在正畸托槽表面形成緩釋涂層。
5.按照權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述磁控濺射時(shí)，頻率13.56MHz，濺射功率250W～350W，工作氬氣壓強(qiáng)0.7Pa～2Pa，靶基距60mm～70mm。
6.按照權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述溶膠凝膠法是按以下步驟進(jìn)行，首先將含氟緩釋涂層材料制成溶膠，將正畸托槽浸入溶膠，以0.1mm/min～0.5mm/min的速度提拉，然后在100℃～200℃干燥1～2小時(shí)，經(jīng)300℃～800℃熱處理1～3小時(shí)，即在正畸托槽表面形成緩釋涂層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種正畸托槽上涂敷含氟緩釋涂層以預(yù)防牙釉質(zhì)脫礦的方法，在正畸托槽的表面涂敷含氟緩釋涂層，含氟緩釋涂層是采用磁控濺射法或溶膠凝膠法涂敷到正畸托槽的表面。本發(fā)明的方法是對(duì)正畸托槽進(jìn)行功能化處理，其操作方便，預(yù)防釉質(zhì)脫礦的效果顯著。
文檔編號(hào)A61K6/02GK1706360SQ200510042700
公開(kāi)日2005年12月14日 申請(qǐng)日期2005年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月23日
發(fā)明者趙康, 蘇波 申請(qǐng)人:西安理工大學(xué)