專利名稱：磁共振成像裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實施方式涉及磁共振成像裝置。
背景技術(shù)：
磁共振成像裝置通過施加傾斜磁場，從而對從被檢體放射出的磁共振信號提供位置信息，并根據(jù)該位置信息來重建圖像。然而，磁共振成像裝置脈沖(pulse)狀地施加傾斜磁場。因此，在存在于傾斜磁場線圈(coil)的周圍的導體(例如靜磁場磁鐵的熱擋板(shield)等)中會發(fā)生渦電流，并 由發(fā)生的渦電流來生成磁場(以下，渦流磁場)。由于該渦流磁場作用于抑制傾斜磁場的變化的方向上，并使傾斜磁場的波形變形，因此，如果考慮基于渦流磁場的影響而不進行波形的校正，則在由磁共振信號而重建的圖像中產(chǎn)生劣化。由于這樣，近年來，使用有校正傾斜磁場的波形的“渦流校正”?！皽u流校正”是對于理想的傾斜磁場的波形，進行使用了預(yù)先準備的渦流校正參數(shù)(parameter)(強度、時間常數(shù))的計算，其結(jié)果輸出校正后的波形。傾斜磁場電源按照該校正后的波形來施加傾斜磁場。于是，通過渦流磁場與傾斜磁場重疊，傾斜磁場的波形接近于理想的波形。在此，在渦流磁場中存在時間常數(shù)長的情況與短的情況，但目前，使圖像產(chǎn)生劣化的渦流磁場被認為是時間常數(shù)長的情況。并且，由于較長的時間常數(shù)的渦流磁場在攝像范圍的所有位置中大致產(chǎn)生相同的影響，因此，渦流校正參數(shù)例如準備對準磁場中心的參數(shù)，并根據(jù)該渦流校正參數(shù)，來進行所有位置中的校正。但是，不必在攝像范圍的所有位置中都進行適當?shù)販u流校正，例如，在偏離磁場中心的位置中，存在在圖像中生成變形等劣化的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的課題在于提供一種可以適當?shù)剡M行渦流校正的磁共振成像裝置。實施方式的磁共振成像裝置具備存儲部、渦流校正部、傾斜磁場電源。存儲部針對每個攝像的位置存儲對基于渦流磁場的影響進行校正的渦流校正參數(shù)。渦流校正部接受按照攝像條件而計算的傾斜磁場的波形，并對于接受到的傾斜磁場的波形，進行基于根據(jù)位置而選擇的渦流校正參數(shù)的計算，并對于傾斜磁場電源輸出作為計算結(jié)果而得到的校正后的波形。傾斜磁場電源接受校正后的波形，并按照校正后的波形施加傾斜磁場。根據(jù)實施方式的磁共振成像裝置，可以適當?shù)剡M行渦流校正。


圖I是表示第I實施方式涉及的MRI裝置的結(jié)構(gòu)的框(block)圖。圖2A是用于說明第I實施方式中的渦流磁場的影響的圖。圖2B是用于說明第I實施方式中的渦流磁場的影響的圖。圖3是用于說明第I實施方式中的渦流校正參數(shù)的圖。圖4是用于說明第I實施方式中的渦流校正參數(shù)的圖。圖5是用于說明第I實施方式中的渦流校正參數(shù)的圖。圖6是表示第I實施方式涉及的序列(sequence)控制部的結(jié)構(gòu)的框圖。圖7是用于說明對第I實施方式中的脈沖序列的適用性的圖。
圖8是表示第2實施方式涉及的序列控制部的結(jié)構(gòu)的框圖。圖9是表示第3實施方式涉及的序列控制部的結(jié)構(gòu)的框圖。
具體實施例方式(第I實施方式)第I實施方式涉及的磁共振成像裝置(以下，MRI (MagneticResonance Imaging)裝置)針對每個攝像的位置準備渦流校正參數(shù)，并根據(jù)位置來校正傾斜磁場的波形。以下，在簡單地說明了第I實施方式涉及的MRI裝置的結(jié)構(gòu)之后，針對第I實施方式中的渦流校正詳細進行說明。圖I是表示第I實施方式涉及的MRI裝置100的結(jié)構(gòu)的框圖。靜磁場磁鐵I形成中空的圓筒狀，并在內(nèi)部的空間中產(chǎn)生一樣的靜磁場。靜磁場磁鐵I例如是永久磁鐵、超導磁鐵等。傾斜磁場線圈2形成中空的圓筒狀，并在內(nèi)部的空間中產(chǎn)生傾斜磁場。具體而言，傾斜磁場線圈2被配置在靜磁場磁鐵I的內(nèi)側(cè)，從傾斜磁場電源3來接受電流的供給，發(fā)生傾斜磁場。傾斜磁場電源3按照從序列控制部10發(fā)送的控制信號，對傾斜磁場線圈2供給電流。床4具備載置被檢體P的頂板4a，將頂板4a以載置有被檢體P的狀態(tài)插入傾斜磁場線圈2的空洞(攝像口)內(nèi)。通常，床4被設(shè)置成長度方向與靜磁場磁鐵I的中心軸平行。床控制部5驅(qū)動床4，使頂板4a向長度方向及上下方向移動。發(fā)送線圈6發(fā)生高頻磁場。具體而言，發(fā)送線圈6被配置在傾斜磁場線圈2的內(nèi)偵1J,從發(fā)送部7來接受高頻脈沖(RF (Radio Frequency)脈沖)的供給,發(fā)生高頻磁場。發(fā)送部7按照從序列控制部10發(fā)送的控制信號，并對發(fā)送線圈6發(fā)送與拉莫爾(Larmor)頻率對應(yīng)的RF脈沖。接收線圈8接收磁共振信號(以下,MR(Magnetic Resonance)信號)。具體而言，接收線圈8被配置在傾斜磁場線圈2的內(nèi)側(cè)，并通過高頻磁場的影響接收從被檢體P放射出的MR信號。另外，接收線圈8對接收部9輸出接收到的MR信號。接收部9按照從序列控制部10發(fā)送的脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)，根據(jù)從接收線圈8輸出的MR信號來生成MR信號數(shù)據(jù)。具體而言，接收部9通過將從接收線圈8輸出的MR信號進行數(shù)字轉(zhuǎn)換，來生成MR信號數(shù)據(jù)，并將生成的MR信號數(shù)據(jù)經(jīng)由序列控制部10發(fā)送至計算機系統(tǒng)20。序列控制部10控制傾斜磁場電源3、發(fā)送部7、及接收部9。具體而言，序列控制部10將根據(jù)從計算機系統(tǒng)20發(fā)送出的脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)的控制信號發(fā)送至傾斜磁場電源3、發(fā)送部7、及接收部9。計算機系統(tǒng)20具備接口部21、圖像重建部22、存儲部23、輸入部24、顯示部25、控制部26。接口部21與序列控制部10連接，控制在序列控制部10與計算機系統(tǒng)20之間發(fā)送接收的數(shù)據(jù)的輸入輸出。圖像重建部22根據(jù)從序列控制部10發(fā)送出的MR信號數(shù)據(jù)來重建圖像數(shù)據(jù)，并將重建的圖像數(shù)據(jù)(data)存儲在存儲部23中。存儲部23存儲由圖像重建部22存儲的圖像數(shù)據(jù)或在MRI裝置100中使用的其他數(shù)據(jù)。例如，存儲部23是RAM (Random Access Memory)、閃存(flash memory) 等半導體存儲元件、硬盤(hard disc)、光盤等。輸入部24由操作者來接受用于決定渦流校正參數(shù)的操作、攝像條件的輸入或攝像指示等。例如，輸入部24是鼠標(mouse)或軌跡球(trackball)等定位(pointing)設(shè)備(device)、模式(mode)切換開關(guān)(switch)等選擇設(shè)備、鍵盤(keyboard)等輸入設(shè)備。顯示部25顯示圖像數(shù)據(jù)等。例如，顯示部25是液晶顯示器等顯示設(shè)備?？刂撇?6通過控制上述各部來總括地控制MRI裝置100。例如，控制部26是ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(Field Programmable GateArray)等集成電路、CPU(CentralProcessing Unit)、MPU(Micro Processing Unit)等電子電路。在此，簡單地說明從接受攝像條件到施加傾斜磁場的流程。在第I實施方式中，如果控制部26由操作者來接受攝像條件的輸入，則根據(jù)接受到的攝像條件來生成脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)，并將生成的脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)發(fā)送至序列控制部10。于是，序列控制部10首先生成用于輸出按照脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)的理想的傾斜磁場的波形的控制信號。接著，序列控制部10對于理想的傾斜磁場的波形進行使用了渦流校正參數(shù)的計算，作為計算結(jié)果得到校正后的波形。并且，序列控制部10將用于輸出校正后的波形的控制信號(傾斜磁場的強度、定時(timing)等)發(fā)送至傾斜磁場電源3。傾斜磁場電源3按照該控制信號，施加傾斜磁場。圖2A及圖2B是用于說明第I實施方式中的渦流磁場的影響的圖。圖2A是按照脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)的理想的傾斜磁場的波形的例子。如果對于該理想的傾斜磁場的波形施加渦流磁場的影響，則例如，如圖2B所示，傾斜磁場的波形會發(fā)生變形。另外，在該變形中，如圖2B所示，包含受到時間常數(shù)長的渦流磁場的影響的變形(在圖2B中“長時間常數(shù)”)與受到時間常數(shù)短的渦流磁場的影響的變形(在圖2B中“短時間常數(shù)”)。目前，使圖像發(fā)生劣化的渦流磁場被認為時間常數(shù)較長。第I實施方式涉及的MRI裝置100針對每個位置都準備用于校正時間常數(shù)短的渦流磁場的渦流校正參數(shù)，并對每個位置進行校正。簡單地說明其理由。例如，在對準磁場中心而準備的渦流校正參數(shù)中，不必在攝像范圍的所有位置中都進行適當?shù)販u流校正，例如，在偏離磁場中心的位置中，存在在圖像中發(fā)生劣化的情況。這是與“由于正是長的時間常數(shù)(以下，長時間常數(shù))的渦流磁場使圖像劣化，長時間常數(shù)的渦流磁場在攝像范圍的所有位置中大致施加相同的影響”的考慮相反的結(jié)果。另外，在FSE(Fast Spin Echo)、FASE (Fast Asymmetric Spin Echo)等高速的脈沖序列中，存在該現(xiàn)象變得顯著的傾向。在此，高速的脈沖序列使傾斜磁場的強度較強，傾斜磁場的施加與MR信號的收集的間隔較短。如果這樣，考慮趁著短的時間常數(shù)(以下，短時間常數(shù))的渦流磁場的影響沒有被抵消，收集MR信號，推斷沒有對MR信號施加短時間常數(shù)的渦流磁場的影響。由于這樣，第I實施方式涉及的MRI裝置100針對每個位置準備用于校正時間常數(shù)較短的渦流磁場的渦流校正參數(shù)，并對每個位置進行校正。圖3 5是用于說明第I實施方式中的渦流校正參數(shù)的圖。第I實施方式涉及的MRI裝置100預(yù)先準備每個攝像的位置的渦流校正參數(shù)。例如，如圖3所示，在頂板4a上配置多個模型(phantom)，并將該頂板4a插入傾斜磁場線圈2的空洞內(nèi)，進行基于代表性的脈沖序列的實驗性的攝像。在該實驗性的攝像中，通過試行基于各種渦流校正參數(shù)的渦流校正，測定對收集到的MR信號施加的影響，并進行調(diào)整，從而決定適當?shù)臏u流校正參數(shù)。例如，如圖3所示，通過在z軸方向上配置多個模型，依次將各模型進行攝像，并試行基于各種渦流校正參數(shù)的渦流校正，從而，例如，針對模型的每個位置，決定短時間常數(shù)的渦流校正參數(shù)。例如，將“短時間常數(shù)參數(shù)a” “短時間常數(shù)參數(shù)e”決定為短時間常數(shù) 的渦流校正參數(shù)。另一方面，在第I實施方式中，長時間常數(shù)的渦流校正參數(shù)使用在所有的位置中共通的參數(shù)。例如，使用對準磁場中心而準備的長時間常數(shù)的渦流校正參數(shù)。因此，如圖3所示，每個攝像的位置的渦流校正參數(shù)變?yōu)椤啊岸虝r間常數(shù)參數(shù)a” “長時間常數(shù)參數(shù)(共通)””的組(set) ““短時間常數(shù)參數(shù)e” “長時間常數(shù)參數(shù)(共通)””的組。另外，在上述說明中，作為在z軸方向上配置多個模型，針對z軸方向的每個位置來決定短時間常數(shù)的渦流校正參數(shù)的例子進行了說明，但實施方式并不限定于此。例如，如圖4所示，在X軸方向或y軸方向上也配置多個模型，不僅可以針對z軸方向的每個位置，還可以針對X軸方向或y軸方向的每個位置決定短時間常數(shù)的渦流校正參數(shù)。另外，例如，如圖5所示，也可以以切片(slice)單位來決定短時間常數(shù)的渦流校正參數(shù)。另外，也可以以I個切片所包含的線單位來決定短時間常數(shù)的渦流校正參數(shù)。即，理論上，由于至少能夠根據(jù)MR信號的收集單位來決定I個渦流校正參數(shù)，因此，也可以針對其任意的單位的每個位置，決定渦流校正參數(shù)。圖6是表示第I實施方式涉及的序列控制部10的結(jié)構(gòu)的框圖。RF脈沖輸出部Ilb如果從計算機系統(tǒng)20來接收脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)，則生成用于輸出根據(jù)該脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)的RF脈沖的控制信號，并將生成的控制信號發(fā)送至發(fā)送部7。傾斜磁場輸出部Ila如果從計算機系統(tǒng)20來接收脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)，則生成用于輸出根據(jù)該脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)的理想的波形的控制信號(傾斜磁場的強度、定時等)，并將生成的控制信號逐次發(fā)送至渦流校正(長時間常數(shù))計算部12c及渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d。長時間常數(shù)參數(shù)存儲部12a存儲預(yù)先準備的長時間常數(shù)參數(shù)。在第I實施方式中，長時間常數(shù)的渦流校正參數(shù)使用在所有位置中共通的參數(shù)。另一方面，短時間常數(shù)參數(shù)存儲部12b存儲針對攝像范圍的每個位置而預(yù)先準備的短時間常數(shù)參數(shù)。例如，短時間常數(shù)參數(shù)存儲部12b存儲“短時間常數(shù)參數(shù)I” “短時間常數(shù)參數(shù)5”。渦流校正(長時間常數(shù))計算部12c如果從傾斜磁場輸出部Ila來接收用于輸出理想的波形的控制信號，則從長時間常數(shù)參數(shù)存儲部12a來讀出“長時間常數(shù)參數(shù)”，并使用讀出的“長時間常數(shù)參數(shù)”進行計算。具體而言，渦流校正(長時間常數(shù))計算部12c通過對于傾斜磁場的理想的波形進行使用了“長時間常數(shù)參數(shù)”的計算，從而生成用于輸出校正后的波形的控制信號。并且，渦流校正(長時間常數(shù))計算部12c將生成的控制信號，SP，將用于輸出校正后的波形的控制信號發(fā)送至渦流校正計算部12e。另外，在“長時間常數(shù)參數(shù)”中包含強度或時間常數(shù)，用于校正的計算使用該強度或時間常數(shù)來進行。另外，用于該校正的計算使用公知的技術(shù)來實現(xiàn)。另一方面，渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d如果從傾斜磁場輸出部Ila來接收用于輸出理想的波形的控制信號，則從被存儲在短時間常數(shù)參數(shù)存儲部12b中的多個“短時間常數(shù)參數(shù)”，來選擇根據(jù)攝像對象的位置的“短時間常數(shù)參數(shù)”，并讀出選擇的“短時間常數(shù)參數(shù)”。例如，渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d如果是第I個TR(TimeofRepetition)則選擇“短時間常數(shù)參數(shù)1”，如果是第5個TR則選擇“短時間常數(shù)參數(shù)5”。并且，渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d使用讀出的“短時間常數(shù)參數(shù)”來進行計算。具體而言，渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d通過對于傾斜磁場的理想的波形進行使用了“短時間常數(shù)參數(shù)”的計算，來生成用于輸出校正后的波形的控制信號。并且，渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d將生成的控制信號，S卩，用于輸出校正后的波形的控制信號發(fā)送至渦流校正計算部12e。 另外，在“短時間常數(shù)參數(shù)”中包含強度或時間常數(shù)，用于校正的計算使用該強度或時間常數(shù)來進行。另外，用于該校正的計算使用公知的技術(shù)來實現(xiàn)。渦流校正計算部12e如果分別從渦流校正(長時間常數(shù))計算部12c及渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d來接收控制信號，則將這些進行合計，并生成用于輸出校正后的波形的最終的控制信號。并且，渦流校正計算部12e將生成的最終的控制信號發(fā)送至傾斜磁場電源3。于是,傾斜磁場電源3根據(jù)控制信號,來施加按照校正后的波形的傾斜磁場。在此，用于輸出理想的波形的控制信號從傾斜磁場輸出部Ila逐次發(fā)送至渦流校正(長時間常數(shù))計算部12c及渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d。因此，渦流校正(長時間常數(shù))計算部12c及渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d將逐次進行使用了“長時間常數(shù)參數(shù)”或“短時間常數(shù)參數(shù)”的計算，并將用于輸出校正后的波形的控制信號逐次發(fā)送至渦流校正計算部12e。并且，渦流校正計算部12e也逐次生成最終的控制信號，并逐次發(fā)送至傾斜磁場電源3。換而言之,實時(real time)進行從傾斜磁場輸出部Ila輸出控制信號，直到傾斜磁場電源3施加傾斜磁場為止的處理。另外，說明這樣實時進行的理由。由于用于輸出傾斜磁場的波形的控制信號通常根據(jù)攝像條件而不同，因此，大多在開始檢查之后生成。但是，由于其量膨大，因此，不怎么運用直到檢查開始后，攝像開始前預(yù)先進行準備。這是由于盡管開始了檢查，但怎么也不開始進行攝像。由于這樣的理由，如果在運用上沒有問題，則不需要特別實時地進行。然后，在圖3中，將“長時間常數(shù)的參數(shù)”、與針對每個攝像的位置準備的“短時間常數(shù)的參數(shù)”的位置單位的組稱為“渦流校正參數(shù)的組”。在第I實施方式中，進一步，將該位置單位的多個“渦流校正參數(shù)的組”一起進行管理。例如，如圖6所示，為“頭部攝像用渦流校正參數(shù)組”、“腹部攝像用渦流校正參數(shù)組”、“下肢攝像用渦流校正參數(shù)組”等。控制部26所具有的參數(shù)選擇部27根據(jù)從操作者輸入的攝像條件，來選擇根據(jù)攝像條件預(yù)先進行分類的渦流校正參數(shù)的組。例如，參數(shù)選擇部27根據(jù)攝像條件，來判定要執(zhí)行的攝像是“頭部攝像”，并選擇“頭部攝像用渦流校正參數(shù)組”。并且，參數(shù)選擇部27將為了使用“頭部攝像用渦流校正參數(shù)組”而通知的控制信號發(fā)送至渦流校正(長時間常數(shù))計算部12c及渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d。渦流校正(長時間常數(shù))計算部12c及渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d如果接收該控制信號，則選擇“頭部攝像用渦流校正參數(shù)組”，并在渦流校正的計算中，使用該“頭部攝像用渦流校正參數(shù)組”所包含的渦流校正參數(shù)。另外，渦流校正參數(shù)組的分類并不限定于此，例如，也可以根據(jù)脈沖序列的種類來進行分類。另外，渦流校正參數(shù)組的選擇也可以直接從操作者來接受。圖7是用于說明第I實施方式中的對脈沖序列的適用性的圖。在圖7中，在I個序列中例如包含5TR。在ITR中，將I個切片進行攝像，或者還是將I條線進行攝像，根據(jù)脈沖序列的種類而不同。在任一情況下，如果在每個TR中攝像的位置發(fā)生改變，則假設(shè)如果以與TR的單位相同的單位為單位，來準備“短時間常數(shù)參數(shù)”，則如圖7所示，適用在每個TR中不同的“短時間常數(shù)參數(shù)”。例如，假設(shè)“短時間常數(shù)參數(shù)”以切片單位來準備，另一方面，為在ITR中將I個切片進行攝像的脈沖序列。此時，渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d在每個TR中，也可以選擇根據(jù)該切片位置的“短時間常數(shù)參數(shù)”。另外，也可以在I個序列內(nèi)再次選擇一次選擇的“短時間常數(shù)參數(shù)”。另外，由于在ITR與ITR之間存在若干空余時間，因此，被認為基于 在某TR中進行的“短時間常數(shù)參數(shù)”的校正的影響沒有波及下一 TR中的傾斜磁場。即，在每個TR中也可以適用不同的“短時間常數(shù)參數(shù)”。如上述那樣，根據(jù)第I實施方式，由于針對每個攝像的位置準備短時間常數(shù)的渦流校正參數(shù)，并根據(jù)位置來校正傾斜磁場的波形，因此，可以適當?shù)剡M行渦流校正。例如，由于即使在偏離磁場中心的位置的攝像中也可以適當?shù)剡M行渦流校正，因此，將能夠抑制圖像的劣化，得到穩(wěn)定的圖像。(第2實施方式)第2實施方式涉及的MRI裝置100除了以下特別敘述的事項，具有與第I實施方式相同的結(jié)構(gòu)。圖8是表示第2實施方式涉及的序列控制部10的結(jié)構(gòu)的框圖。圖8所示，第2實施方式涉及的序列控制部10在渦流校正部12中具有每個“短時間常數(shù)參數(shù)”的多個渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d。并且，各渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d分開進行使用了對應(yīng)的“短時間常數(shù)參數(shù)”的計算。在第I實施方式中，基于渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d的計算從傾斜磁場輸出部Ila來接收用于輸出理想的波形的控制信號，并在選擇了“短時間常數(shù)參數(shù)”之后開始。此時，從接收用于輸出理想的波形的控制信號到生成校正后的控制信號的時間變長。對此，在第2實施方式中，渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d時常進行使用了對應(yīng)的“短時間常數(shù)參數(shù)”的計算，并時常輸出計算結(jié)果。例如，如圖7所示，假設(shè)在I個序列包含5TR時，在各TR中，理想的傾斜磁場的波形相同。另一方面，由于在每個TR中攝像位置不同，因此，渦流校正所應(yīng)該使用的“短時間常數(shù)參數(shù)”也不同。在此，在執(zhí)行第I個ITR的階段中，各渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d可以把握ITR份的理想的傾斜磁場的波形。因此，例如，與“短時間常數(shù)參數(shù)2”對應(yīng)的渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d在正在執(zhí)行第I個ITR時，預(yù)先進行使用了“短時間常數(shù)參數(shù)2”的計算，并生成控制信號。同樣地，例如，與“短時間常數(shù)參數(shù)3”對應(yīng)的渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d也在正在執(zhí)行第I個ITR時，預(yù)先進行使用了“短時間常數(shù)參數(shù)3”的計算，并生成控制信號。另外，渦流校正(長時間常數(shù))計算部12d也至少在第2個ITR以后，也可以保持在第I個ITR中已經(jīng)計算了的計算結(jié)果。通過這樣并列地進行計算，將大幅度縮短從接收用于輸出理想的波形的控制信號到生成校正后的控制信號為止的時間，并縮短基于渦流校正部12的處理時間。假設(shè)即使在ITR與ITR之間的空余時間較短的情況下，也能夠適用。另外，在第2實施方式中，說明了渦流校正部12具有與“短時間常數(shù)參數(shù)”的數(shù)量相同的渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d的例子。但是，實施方式并不限定于此。即使在不必具有與“短時間常數(shù)參數(shù)”的數(shù)量相同的渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d的情況下，例如，兩個渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d也可以相互先行地進行用于下一 TR的計算，并事前保持計算結(jié)果。如上述那樣，根據(jù)第2實施方式，在渦流校正部12具有每個“短時間常數(shù)參數(shù)”的多個渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d，各渦流校正(短時間常數(shù))計算部12d分開進行使用了對應(yīng)的“短時間常數(shù)參數(shù)”的計算，因此，可以大幅度地縮短處理時間。 (第3實施方式)第3實施方式涉及的MRI裝置100除了以下特別記載的事項，具有與第I實施方式相同的結(jié)構(gòu)。圖9是表示第3實施方式涉及的序列控制部10的結(jié)構(gòu)的框圖。如圖9所示，第3實施方式涉及的序列控制部10將針對每個攝像的位置的“長時間常數(shù)參數(shù)”存儲在長時間常數(shù)參數(shù)存儲部12a中。S卩，在第I及第2實施方式中，長時間常數(shù)的渦流校正參數(shù)使用了在所有的位置上共通的參數(shù)。在第3實施方式中，長時間常數(shù)的渦流校正參數(shù)使用針對每個攝像的位置而不同的參數(shù)。如上述那樣，一般而言，長時間常數(shù)的渦流磁場被認為在攝像范圍的所有位置中大致施加相同的影響。但是，也不必斷言是完全相同的影響，通過針對每個位置使用不同的“長時間常數(shù)參數(shù)”，從而可以期待渦流校正的精度進一步提高。由于這樣，第3實施方式涉及的序列控制部10在渦流校正部12具有每個“長時間常數(shù)參數(shù)”的多個渦流校正計算部12f。另外，在第3實施方式中，如圖9所示，假設(shè)I個渦流校正計算部12f進行使用了 “短時間常數(shù)參數(shù)”的計算與使用了 “長時間常數(shù)參數(shù)”的計算。各渦流校正(長 短時間常數(shù))計算部12f進行使用了與相同的位置對應(yīng)的“短時間常數(shù)參數(shù)”的計算與使用了“長時間常數(shù)參數(shù)”的計算。但是，實施方式并不限定于此，渦流校正部12也可以分別具有“短時間常數(shù)參數(shù)”用多個渦流校正計算部12f與“長時間常數(shù)參數(shù)”用多個渦流校正計算部12f。如上述那樣，根據(jù)第3實施方式，進一步針對每個攝像的位置準備長時間常數(shù)的渦流校正參數(shù)，并根據(jù)位置來校正傾斜磁場的波形，因此，可以高精度地進行渦流校正。對本發(fā)明的若干實施方式進行了說明，但上述實施方式是作為例子而說明的，并非意味著對本發(fā)明的范圍進行限定。上述實施方式可在其他各種實施例中實施，并且在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，可進行各種省略、變換、變更。上述實施方式及其的變形例包含于本發(fā)明的范圍及要旨內(nèi)，并且也包含于本申請項的范圍中所揭示的發(fā)明和其均等的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種磁共振成像裝置，其特征在于，具備 存儲部，其針對每個攝像的位置存儲對基于渦流磁場的影響進行校正的渦流校正參數(shù)； 渦流校正部，其接受按照攝像條件而計算的傾斜磁場的波形，并對于接受到的傾斜磁場的波形，進行基于根據(jù)上述位置而選擇的渦流校正參數(shù)的計算，并對于傾斜磁場電源輸出作為計算結(jié)果而得到的校正后的波形； 傾斜磁場電源，其接受上述校正后的波形，并按照上述校正后的波形來施加傾斜磁場。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 上述存儲部針對每個攝像的位置存儲對基于短時間常數(shù)的渦流磁場的影響進行校正的上述渦流校正參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 上述存儲部還針對每個攝像的位置存儲對基于長時間常數(shù)的渦流磁場的影響進行校正的上述潤流校正參數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 上述渦流校正部針對每個渦流校正參數(shù)具備多個， 各渦流校正部分開進行使用了對應(yīng)的渦流校正參數(shù)的計算。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 上述渦流校正部針對每個渦流校正參數(shù)具備多個， 各渦流校正部分開進行使用了對應(yīng)的渦流校正參數(shù)的計算。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 上述渦流校正部針對每個渦流校正參數(shù)具備多個， 各渦流校正部分開進行使用了對應(yīng)的渦流校正參數(shù)的計算。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 還具備選擇部，其根據(jù)上述攝像條件來選擇根據(jù)攝像條件而預(yù)先分類的渦流校正參數(shù)的組， 上述渦流校正部從被選擇出的上述渦流校正參數(shù)的組中，選擇根據(jù)攝像位置的渦流校正參數(shù)并進行上述計算。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 還具備選擇部，其根據(jù)上述攝像條件來選擇根據(jù)攝像條件而預(yù)先分類的渦流校正參數(shù)的組， 上述渦流校正部從被選擇出的上述渦流校正參數(shù)的組中，選擇根據(jù)攝像的位置的渦流校正參數(shù)并進行上述計算。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 還具備選擇部，其根據(jù)上述攝像條件來選擇根據(jù)攝像條件而預(yù)先分類的渦流校正參數(shù)的組， 上述渦流校正部從被選擇出的上述渦流校正參數(shù)的組中，選擇根據(jù)攝像的位置的渦流校正參數(shù)并進行上述計算。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 還具備選擇部，其根據(jù)上述攝像條件來選擇根據(jù)攝像條件而預(yù)先分類的渦流校正參數(shù)的組， 上述渦流校正部從被選擇 出的上述渦流校正參數(shù)的組中，選擇根據(jù)攝像的位置的渦流校正參數(shù)并進行上述計算。
全文摘要
實施方式涉及磁共振成像裝置。提供一種可以適當?shù)剡M行渦流校正的磁共振成像裝置。實施方式的磁共振成像裝置具備存儲部、渦流校正部、傾斜磁場電源。存儲部針對每個攝像的位置存儲對基于渦流磁場的影響進行校正的渦流校正參數(shù)。渦流校正部接受按照攝像條件而計算的傾斜磁場的波形，并對于接受到的傾斜磁場的波形，進行基于根據(jù)位置而選擇的渦流校正參數(shù)的計算，并對于傾斜磁場電源輸出作為計算結(jié)果而得到的校正后的波形。傾斜磁場電源接受校正后的波形，并按照校正后的波形施加傾斜磁場。
文檔編號A61B5/055GK102764122SQ20121005580
公開日2012年11月7日 申請日期2012年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月7日
發(fā)明者山中正昭 申請人:東芝醫(yī)療系統(tǒng)株式會社, 株式會社東芝