專利名稱：通過植入假體的電誘發(fā)腦干反應(yīng)測(cè)量的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)(eABR)的測(cè)量，更具體來說涉及通過植入假體對(duì)eABR的測(cè)量?！?br> 背景技術(shù)：
可商購的耳蝸植入物或聽覺腦干植入物(ABI)系統(tǒng)的電極可用于急性電刺激，獲得關(guān)于電極本身和/或植入物系統(tǒng)的重要信息，或記錄電誘發(fā)電位(EEP)，例如復(fù)合動(dòng)作電位(CAP)。電誘發(fā)CAP反應(yīng)的發(fā)生使得能夠通過耳蝸植入物測(cè)量CAP反應(yīng)。然而，通過耳蝸或ABI植入物記錄各種其他類型EEP的客觀測(cè)量值，仍然成問題。正如在此引為參考的Katz J.,Handbook of Clinical Audiology(《臨床聽力學(xué)手冊(cè)》)，Williams&Wilkins,第四版，1994中所述,誘發(fā)電位包括早、中和晚潛伏期聽性反應(yīng)。根據(jù)定義，CAP是由第八腦神經(jīng)的耳蝸端產(chǎn)生的交流電反應(yīng)，并且它代表了數(shù)千個(gè)聽神經(jīng)纖維同步放電的總和反應(yīng)，正如在Ferraro等，The Use of Electrocochleography in theDiagnosis, Assessment, and Monitoring of Endolymphatic Hydrops(《耳蟲咼電描記術(shù)在內(nèi)淋巴水腫的診斷、評(píng)估和監(jiān)測(cè)中的應(yīng)用》)，Otolaryngologic Clinics of North America,16:1, pp.69-82,1983 年 2 月；和他11 J.ff., Handbook of Auditory Evoked responses(《聽覺誘發(fā)反應(yīng)手冊(cè)》)，Allyn 和 Bacon, Needham Heights, Massachusetts, 1992 中所述，其每個(gè)在此以其全文引為參考。聽覺腦干反應(yīng)(ABR)是通過特定信號(hào)的呈遞從人或其他動(dòng)物的腦干誘發(fā)的電信號(hào)(Katz, 1994)。人類中ABR電位的首次記錄由Jewett D.L.等執(zhí)行，參見 Jewett D.L.等，Human Auditory Evoked Potentials !Possible Brain StemComponents Detected on the scalp (《人類聽覺誘發(fā)電位:在頭皮上檢測(cè)到的可能的腦干分量》)，Sciencel970;167:p.1517-8，在此以其全文引為參考。ABR的特定波分量與聽覺通路的分量的關(guān)聯(lián)性可以如下表示 波1:耳蝸動(dòng)作電位(CAP)，遠(yuǎn)端CNVIII ’波I1:近端CNVIII ;波II1:耳蝸核；波IV:上橄欖復(fù)合體；以及波V:外側(cè)丘系。峰的定義被描述在Jewett D.L.等,Auditory-evoked Far Fields Averaged from the scalp of Humans(《從人類頭皮平均的誘發(fā)聽覺的遠(yuǎn)場(chǎng)》)，Brain.1971; 94 (4):p.681-96中，在此以其全文引為參考。電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)(eABR)可以通過部分地使用一個(gè)或多個(gè)頭皮電極記錄一系列電位來獲得。反應(yīng)典型地在脈沖刺激發(fā)作后IOmsec內(nèi)發(fā)生。脈沖刺激可以例如由與耳蝸植入物或ABI相關(guān)聯(lián)的電極來提供。在許多情況下，電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)(eABR)能夠提供可用于植入物的信息。例如，eABR能夠提供關(guān)于聽力的重要信息，并且使用特定刺激可能提供對(duì)象的電極特異性聽力信息。盡管CAP測(cè)量能夠獲得關(guān)于耳蝸內(nèi)神經(jīng)纖維的信息，但eABR具有檢查聽覺通路、即評(píng)估內(nèi)耳、第八腦神經(jīng)的功能以及聽覺系統(tǒng)的下部分的各種腦功能的能力。對(duì)于通過ABI的eABR來說，將電極陣列直接置于耳蝸核上。因此，eABR記錄不能包括波1、11和部分波III的記錄，并且與使用耳蝸植入物相比出現(xiàn)得早l-2ms。由于在呈遞刺激之后基本上即刻以及在記錄開始時(shí)呈現(xiàn)刺激偽跡，因此通過ABI分析eABR典型地比通過耳蝸植入物進(jìn)行eABR分析困難。在適配過程中，對(duì)于從未聽到過或僅具有非常少的聽力使用經(jīng)驗(yàn)(例如兒童)的ABI對(duì)象來說，eABR變成非常重要的客觀測(cè)量法。與耳蝸植入物患者相比，eABR可能對(duì)ABI患者更為重要，這是由于在耳蝸植入物患者中，在適配過程中通常使用的一些客觀測(cè)量法、即電誘發(fā)鐙骨反射測(cè)量法(eSR)，可能無法引發(fā)。eABR的特殊用途如下所列。-eABR可用于協(xié)助電極放置和植入物功能的手術(shù)內(nèi)或手術(shù)后確認(rèn)(參見BehrR.等，The High Rate CIS Auditory Brainstem Implant for Restoration of Hearingin NF-2 Patients (用于在NF-2患者中恢復(fù)聽力的高速率CIS聽覺腦干植入物)，Skull.Basel7(2)，2007，ρ.91-107 ;以及 Bahmer A.等，Recording of Electrically EvokedAuditory Brainstem Responses (E-ABR)with an Iintegrated Stimulus Generator inMatlab (使用Matlab中的集成刺激生成器記錄電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)(E-ABR)), JournalNeuroscience Methodsl73 (2)，2008，ρ.306-314，其每個(gè)在此以其全文引為參考)。eABR 已變成用于判斷電極葉片在耳蝸核上的正確放置的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量法。-eABR可用于協(xié)助患者的診斷評(píng)估(參見Gibson等，The Use of Intra-operativeElectrical Auditory Brainstem Responses to Predict the Speech PerceptionOutcome after Cochlear Implantation(使用手術(shù)內(nèi)電聽覺腦干反應(yīng)預(yù)測(cè)耳蝸植入后的語音感受結(jié)果)，Cochlear.1mplants Int., 10Suppll2009, ρ.53-57，在此以其全文引為參考)。特別是，eABR可以作為評(píng)估和監(jiān)測(cè)聽覺、耳科和神經(jīng)障礙(即聲學(xué)腫瘤監(jiān)測(cè))的工具。-eABR可用于協(xié)助可植入聽力裝置的手術(shù)后編程，特別是在難以安裝的患者例如兒童中(參見:Brown C.J.等，The relationship between EAP and EABR thresholdsand levels used to program the nucleus 24speech processor:data from adults(EAP和EABR閾值與用于編程核24語音處理器的電平之間的關(guān)聯(lián)性:來自于成人的數(shù)據(jù))，Ear Hear.21(2), 2000,和 McMahon 等，2008，ρ.151-163 ;以及 McMahon C.Μ.等，F(xiàn)requency-specific Electrocochleography Indicates that Presynaptic andPostsynaptic Mechanisms of Auditory Neuropathy Exist (頻率特異性耳蝸電描記術(shù)表明聽覺神經(jīng)病存在的突觸前和突觸后機(jī)制)，Ear Hear.29 (3)，2008，p.151-163，其每個(gè)在此以其全文引為參考)。-eABR可以提供關(guān)于每個(gè)耳蝸內(nèi)或電極的心理聲學(xué)閾值的附加信息(參見Brown等，2000)。-eABR可用于協(xié)助提供關(guān)于聽覺通路的定量信息(參見:Polak M.等， Evaluationof Hearing and Auditory Nerve Function by Combining ABR, DPOAE and eABR Testsinto a Single Recording Session (通過將ABR、DP0AE和eABR試驗(yàn)合并在單個(gè)記錄時(shí)段中來評(píng)估聽力和聽神經(jīng)功能)，J.Neurosc1.Methodsl34 (2), 2004, p.141-149 ;以及 Gibson等，2009)。
獲得eABR可能是繁瑣的。典型情況下需要用于記錄的外部系統(tǒng)，然后必須將其與刺激系統(tǒng)相接/同步。需要將各種記錄電極放置在患者上，其位置可能易受患者移動(dòng)的影響。此外,可商購的記錄系統(tǒng)通常將刺激偽跡與生理反應(yīng)一起記錄。這些偽跡可能比生理反應(yīng)高得多(偽跡比生理反應(yīng)高多達(dá)幾十倍)。因此，通常非常難以判斷是否存在生理反應(yīng)。有時(shí)，偽跡與生理反應(yīng)相混淆，因此結(jié)果的最終解讀可能產(chǎn)生不正確的解讀。對(duì)于手術(shù)內(nèi)測(cè)量來說，當(dāng)僅依賴于eABR反應(yīng)時(shí)，不適當(dāng)?shù)呐袛嗫赡軐?duì)使用植入物系統(tǒng)的手術(shù)后性能具有非常引人注目的影響。對(duì)于eABR記錄來說，目前只有交替?zhèn)污E消除方法在商業(yè)上使用(例如參見Polak等，2004)。然而，這種方法在消除刺激偽跡方面通常不令人滿意。發(fā)明概述根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種用于測(cè)量患者或動(dòng)物的體的電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)的方法。所述方法包括通過手術(shù)植入具有電極陣列的聽覺假體，所述電極陣列被放置于耳蝸內(nèi)或大體鄰近所述體的腦干放置。對(duì)所述電極陣列中的至少一個(gè)電極進(jìn)行刺激。至少部分地使用可以用作負(fù)電極的所述電極陣列中的電極和可以用作正電極的鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的電極，來記錄由所述刺激引起的電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的相關(guān)實(shí)施方案，所述聽覺假體可以是腦干植入物或耳蝸植入物。鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的所述電極，可以被置于所述體的外部或內(nèi)部。鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的所述電極，可以大體鄰近所述體的頭頂放置。鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的所述電極可以與所述聽覺假體操作性偶聯(lián)。所述聽覺假體可以包括連接器，所述方法還包括將鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的所述電極通過所述連接器與所述聽覺假體相連?？梢栽谥踩胨雎犛X假體時(shí)將所述連接器置于所述體內(nèi)，并且在將鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的所述電極通過所述連接器與所述聽覺假體相連時(shí)，將鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的所述電極置于所述體的內(nèi)部或外部。所述電極陣列中的所述至少一個(gè)電極可以僅用于記錄，或者用于記錄和刺激(即起到聽覺假體的作用)兩者。刺激所述電極陣列中的至少一個(gè)電極，可以包括刺激所述電極陣列中的多個(gè)電極。根據(jù)本發(fā)明的其他相關(guān)實(shí)施方案，所述方法可以包括從所述反應(yīng)中消除偽跡。從所述反應(yīng)中消除偽跡包括改進(jìn)的前向掩蔽消除。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案，一種用于測(cè)量患者或動(dòng)物的體的電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)的系統(tǒng)包括:聽覺假體，其具有電極陣列，所述電極陣列用于置于耳蝸內(nèi)或大體鄰近所述體的腦干放置。電極，其可以用作正電極， 與所述聽覺假體操作性偶聯(lián)，用于鄰近所述體的頭皮和/或前額放置。控制器，其用于刺激所述電極陣列中的至少一個(gè)電極，并至少部分地使用可以用作負(fù)電極的所述電極陣列中的電極和用于鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的所述電極，來記錄由所述刺激引起的電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的相關(guān)實(shí)施方案，所述聽覺假體可以是腦干植入物或耳蝸植入物。所述聽覺假體可以包括用于連接到用于鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的所述電極的連接器。所述連接器可以將用于鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的所述電極可移除地偶聯(lián)到所述聽覺假體。所述連接器可以包括在植入所述聽覺假體時(shí)用于將所述連接器置于所述體內(nèi)的裝置。所述控制器在測(cè)量電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)時(shí)可以同時(shí)刺激所述電極陣列中的至少兩個(gè)電極。
根據(jù)本發(fā)明的其他相關(guān)實(shí)施方案，所述控制器可以消除所述反應(yīng)中的偽跡。所述控制器可以利用改進(jìn)的前向掩蔽消除來消除偽跡。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案，提供了一種用于測(cè)量患者或動(dòng)物的體的電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)的方法。所述方法包括通過手術(shù)植入具有電極陣列的聽覺假體，所述電極陣列被置于耳蝸內(nèi)或大體鄰近所述體的腦干。對(duì)所述電極陣列中的至少一個(gè)電極進(jìn)行刺激。記錄由所述刺激引起的電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)。使用改進(jìn)的前向掩蔽方法消除所述反應(yīng)中的偽跡。根據(jù)本發(fā)明的其他相關(guān)實(shí)施方案，記錄所述電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)可以包括至少部分地使用鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的正電極和大體鄰近耳的乳突、耳垂和耳前區(qū)域中的一種位置放置的負(fù)電極。所述正電極和負(fù)電極可以置于所述體外部，并且可以是例如表面電極和/或針狀電極。可以使用接地電極，并可以將其置于例如下部前額上。根據(jù)本發(fā)明的其他相關(guān)實(shí)施方案，記錄所述電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)可以包括至少部分地使用鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的正電極和所述電極陣列中起到負(fù)電極作用的電極。所述正電極可以通過連接器操作性偶聯(lián)到所述聽覺假體。所述正電極可以置于所述體的內(nèi)部或外部。刺激所述電極陣列中的至少一個(gè)電極可以包括刺激所述電極陣列中的多個(gè)電極。附圖簡述通過參考下面的詳細(xì)描述并參考附圖，可以更容易地理解本發(fā)明的上述特點(diǎn)，在所述附圖中:

圖1 (a)是用于測(cè)量eABR的常規(guī)系統(tǒng)的框圖；圖1 (b)示出了用于eABR的典型的記錄電極放置；圖2不出了符合本發(fā)明實(shí)施方案的eABR測(cè)量系統(tǒng)；圖3 (a-c)示出了示例性ABR和eABR波形；圖4示出了符合本發(fā)明的實(shí)施方案的用于應(yīng)用于eABR測(cè)量的改進(jìn)的前向掩蔽方案。具體實(shí)施方案的詳細(xì)描述在本發(fā)明的示例性實(shí)施方案中，提供了用于測(cè)量患者或動(dòng)物的體的電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)(eABR)的系統(tǒng)和方法。一般來說，使用耳蝸或聽覺腦干植入物的電極陣列中的(例如作為負(fù)電極的)一個(gè)或多個(gè)電極和鄰近患者的頭皮或前額放置的(例如作為正電極)電極，來記錄電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)。這樣的構(gòu)造有利地增加記錄到的eABR的波幅。在各種實(shí)施方案中，eABR中存在的偽跡有利地使用前向掩蔽方法來消除，和/或eABR的測(cè)量可以使用假體來進(jìn)行，而不需使用分離的記錄系統(tǒng)。詳細(xì)情況在下面討論。圖1 (a)是用于測(cè)量患者或動(dòng)物的體的eABR的系統(tǒng)的框圖。系統(tǒng)包括控制模塊101，其部分地具有刺激模塊105和記錄模塊107。刺激模塊105向假體(例如耳蝸植入物或ABI)提供刺激輸入109，并將觸發(fā)信息傳輸?shù)接涗浤K107。系統(tǒng)的外部與內(nèi)部部分之間的通訊，可以但不限于通過經(jīng)皮射頻鏈路，其典型地包含與植入物的內(nèi)部線圈交互作用的外部線圈111。記錄電極113采集eABR，然后將其在記錄模塊107中進(jìn)行處理。如圖1(b)中所示，用于eABR的常規(guī)記錄電極位置，可以包括但不限于置于頭頂(Cz)和/或前額上的有源正電極120，和/或置于耳的同側(cè)進(jìn)行過植入或?qū)?cè)未進(jìn)行過植入的乳突、耳垂或耳前區(qū)域上的有源負(fù)電極121?；鶞?zhǔn)/接地電極122可以置于頸、下部前額或肩上(參見例如，Katz 等，1994)。在本發(fā)明的示例性實(shí)施方案中，eABR的測(cè)量通過植入的假體進(jìn)行，不需要分離的外部記錄模塊。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的eABR測(cè)量系統(tǒng)。系統(tǒng)包括植入物201，其可以是耳蝸植入物或ABI，但不限于此。植入物201包括電極陣列209，用于但不限于在耳蝸內(nèi)(以便刺激聽神經(jīng))或大體鄰近體的腦干放置。除了電極陣列之外，將各種(一個(gè)或多個(gè))記錄電極211與植入物201相連?？梢允褂帽炯夹g(shù)領(lǐng)域中已知的電纜/電線213將(一個(gè)或多個(gè))記錄電極211連接到植入物201。電纜/電線可以是但不限于柔性的，以允許在電極211的放置中進(jìn)行調(diào)整。(一個(gè)或多個(gè))記錄電極211可以可移除和/或不可移除地連接到植入物201。在各種實(shí)施方案中，一個(gè)或多個(gè)記錄電極211可以是完全可植入地/固定就位且不可移除地連接到植入物201。在其他實(shí)施方案中，植入物201可以包括(一個(gè)或多個(gè))連接器205，其用于在手術(shù)中將一個(gè)或多個(gè)記錄電極211偶聯(lián)到植入物201。在各種實(shí)施方案中，插頭被置于患者內(nèi)部。在例如手術(shù)中測(cè)量后，然后可以將(一個(gè)或多個(gè))電極211 (例如頭頂電極)斷開，并可以將植入物連同連接器205留置于體內(nèi)。(一個(gè)或多個(gè))記錄電極211可以是表面或針狀電極，其在手術(shù)中放置(在皮膚上或剛好在皮膚下)，并通過連接器205連接到植入物201。在誘發(fā)電位測(cè)量后，然后可以移除(一個(gè)或多個(gè))電極211。在可選實(shí)施方案中，連接器可以置于患者外部。在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，電極211、例如但不限于正電極，可以置于患者的頭皮或前額上或剛好在其下。例如，電極211可以置于患者頭的頂/頂部處。此外，在耳蝸內(nèi)(用于耳蝸植入物)或大體鄰近聽覺腦干(用于ABI)放置的植入物的電極陣列209中的一個(gè)電極，可以用作負(fù)電極，但不限于此。這種構(gòu)造與以前的構(gòu)造比，有利地(并且令人吃驚地)提供了更魯棒性的eABR測(cè)量。負(fù)電極209可以是植入物電極陣列中已經(jīng)存在的電極，以便在植入物的正常使用期間將其用于刺激，并在測(cè)量eABR時(shí)用于記錄。可選地，負(fù)電極209可以不用于刺激，因此可能需要被添加到植入物的現(xiàn)有電極陣列構(gòu)造。根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施方案，可以例如使用圖1 (a)中所示置于例如乳突附近的負(fù)電極，將植入物附連于更常規(guī)的記錄電極構(gòu)造。在進(jìn)行eABR測(cè)量時(shí)，可以激活單個(gè)電極通道?？蛇x地，根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施方案，可以同時(shí)激活多個(gè)電極通道。例如，可以同時(shí)激活耳蝸植入物或ABI的電極陣列內(nèi)的多個(gè)電極。與單通道刺激相比，在eABR期間同時(shí)激活多個(gè)電極有利地需要較低的每個(gè)電極通道的電流就能誘發(fā)反應(yīng)。因此，使用同時(shí)刺激進(jìn)行的eABR測(cè)量，在需要較高電流來引發(fā)聽覺感知的對(duì)象中可能是有幫助的。此外，在eABR期間同時(shí)刺激與使用單通道刺激來測(cè)量誘發(fā)反應(yīng)相比，允許總體上更快的安裝過程(即安裝時(shí)間減少)。安裝圖可能也比使用僅僅單通道刺激時(shí)從同樣數(shù)量的記錄產(chǎn)生的近似安裝圖更精確。在難以安裝的患者中，使用多通道刺激的反應(yīng)與使用單通道刺激時(shí)的反應(yīng)相比，一般更具魯棒性并且更容易識(shí)別。除了上述eABR實(shí)施方案之外或 與上述eABR實(shí)施方案組合，電極的同時(shí)刺激可以有利地應(yīng)用于可用于植入假體的安裝的所有誘發(fā)電位方法。這樣的方法可以包括但不限于:早潛伏期誘發(fā)聽覺反應(yīng)(例如eABR);中潛伏期誘發(fā)聽覺反應(yīng)(例如MLR，40Hz)或晚期誘發(fā)聽覺反應(yīng)(例如P300，P1N1P2)和肌肉反射反應(yīng)(例如PAMR)。
現(xiàn)在描述用于安裝植入物的誘發(fā)電位/肌肉反射的多通道刺激的示例性方法/實(shí)施方式。方法可應(yīng)用于用來安裝植入假體的任何誘發(fā)電位過程。1.選擇將要同時(shí)刺激的通道數(shù)量η。所選的電極應(yīng)該按順序；例如，如果η=3，則刺激電極1-3，隨后是電極4-6、電極7-9、電極10-12、……。2.測(cè)量eABR反應(yīng)(增加刺激水平直至觀察到清晰的反應(yīng))。3.降低刺激水平并確定客觀反應(yīng)消失時(shí)的刺激水平。該客觀反應(yīng)消失時(shí)的刺激水平被稱為閾值基準(zhǔn)(TR)。對(duì)于eABR來說，通常觀察波5，因?yàn)樗亲铘敯粜缘?。圖3(a_c)示出了示例性的ABR和eABR波形。更具體來說，圖3 (a)示出了示例性聲學(xué)誘發(fā)ABR ;圖3(b)示出了耳蝸植入對(duì)象的示例性電誘發(fā)ABR;以及圖3 (c)示出了 ABI對(duì)象的電誘發(fā)ABR的實(shí)例。4.確定所選電極組的平均最大舒適級(jí)(MCL)。所選電極組的平均MCL可以但不限于根據(jù)公式TR/0.6n來計(jì)算。5.確定所選電極組的平均閾值(T)。平均T可以但不限于近似地根據(jù)公式TR/2.4n來計(jì)算(MCL的25%，或比MCL小4倍)。6.選擇下一組電極(電極((n+1、…、2n)并重復(fù)步驟2-5。例如，如果n=3，選擇電極4、5和6。7.當(dāng)所有電極都已選擇后，停止測(cè)量。8.為每個(gè)單個(gè)電極確定近 似MCL。使用線性近似法，近似MCL可以根據(jù)但不限于根據(jù)下列公式來計(jì)算:n=4 (偶數(shù))FlMCL = MCLGroupl+(n/2)*(MCLGroupl-MCLGroup2)/nE2MCL = MCLGroupl+(n/2_l)*(MCLGroupl-MCLGroup2)/nE3MCL = MCLGroupl-(n/2-1)*(MCLGroupl-MCLGroup2)/nE4MCL = MCLGroupl-(n/2)*(MCLGroupl-MCLGroup2)/nE5MCL = MCLGroup2+(n/2)*(MCLGroupl-MCLGroup2)/nE6MCL = MCLGroup2+(n/2-1)*(MCLGroupl-MCLGroup2) /nE7MCL = MCLGroupl-(n/2-1)*(MCLGroup2-MCLGroup3)/nE8MCL = MCLGroupl-(n/2)*(MCLGroup2-MCLGroup3)/n.
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n=3 (奇數(shù))ElMCL = MCLGroupl+(MCLGroupl-MCLGroup2)/3E2MCL = MCLGrouplE3MCL = MCLGroupl-(MCLGroupl-MCLGroup2)/3E4MCL = MCLGroup2+(MCLGroupl-MCLGroup2)/3E5MCL = MCLGroup2E6MCL = MCLGroup2-(MCLGroup2-MCLGroup3)/3.
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為每個(gè)單個(gè)電極確定近似閾值T。使用線性近似法，近似T可以根據(jù)但不限于根據(jù)下列公式來計(jì)算:n=4 (偶數(shù))ElT = TGroupl+(n/2)*(TGroupl-TGroup2)/nE2T = TGroupl+(n/2-1)*(TGroupl_TGroup2)/nE3T = TGroupl-(n/2-1)*(TGroupl_TGroup2)/nE4T = TGroupl-(n/2)*(TGroupl_TGroup2)/nE5T = TGroup2+(n/2)*(TGroupl_TGroup2)/nE6T = TGroup2+(n/2-1)*(TGroupl_TGroup2)/nE7T = TGroupl-(n/2-1)* (TGroup2-TGroup3)/nE8T = TGroup1-(n//2)*(TGroup2~TGroup3) /n.
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n=3 (奇數(shù))ElT = TGroupl+(TGroupl-TGroup2)/3E2T = TGrouplE3T = TGroupl-(TGroupl-TGroup2)/3E4T = TGroup2+(TGroupl-TGroup2)/3E5T = TGroup2E6T = TGroup2-(TGroup2~TGroup3)/3.
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在各種實(shí)施方案中，可以不計(jì)算T水平，或者可以例如根據(jù)T=.1(MCL)來獲得每個(gè)電極的T。上述公式假設(shè)正被刺激的電極被正確插入到耳蝸中。如果任何電極發(fā)生故障或在耳蝸外，這些電極應(yīng)該被排除免于刺激，并因此對(duì)MCL和T計(jì)算進(jìn)行調(diào)整。上述方法適用于eCAP，在這種情形中TR被定義為不能引發(fā)CAP反應(yīng)的最大刺激水平。MCL和T的計(jì)算可能需要進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整，以顧及植入假體的各種類型的模擬性質(zhì)。在各種實(shí)施方案中，在MCL組(TR/0.6n)和T組(TR/2.4n)的計(jì)算中的常數(shù)值0.6和2.4，對(duì)于不同電極陣列來說可能不同。在本發(fā)明的其他示例性實(shí)施方案中，將通過減除方法進(jìn)行的偽跡消除應(yīng)用于eABR計(jì)算。在優(yōu)選實(shí)施方案中，可以利用所謂“改進(jìn)的前向掩蔽方法”，其與用于記錄CAP反應(yīng)的方法類似，但以前從未應(yīng)用于eABR計(jì)算(參見Miller C.A.等，An improved method ofreducing stimulus artifact in the electrically evoked whoIe-nerve potential(減少電誘發(fā)全神經(jīng)電位中的刺激偽跡的改進(jìn)方法)，Ear Hear.2000Aug;21 (4)，p.280-90的圖2中，所述文獻(xiàn)在此引為參考)。eCAP記錄對(duì)刺激偽跡、電極或植入物偽跡和miogenic類型的偽跡敏感。除了上述eCAP的偽跡之外，eABR對(duì)由患者(即患者的移動(dòng))及其周圍環(huán)境所引起的偽跡非常敏感。上述實(shí)施方案允許更穩(wěn)定的電極放置(特別是記錄電極被植入或以其他方式固定就位的實(shí)施方案)，導(dǎo)致使用減除方法進(jìn)行消除更加有利。圖4顯示了按照本發(fā)明的實(shí)施方案的用于應(yīng)用于eABR測(cè)量的“改進(jìn)的前向掩蔽”方案。應(yīng)該理解，也可以利用本技術(shù)領(lǐng)域中已知的其他數(shù)學(xué)偽跡消除方法，例如亞閾值模板方法或標(biāo)準(zhǔn)的前向掩蔽方法。說明性地，參考圖4，單獨(dú)探針的狀況不被記錄(因此，不再需要在標(biāo)準(zhǔn)的前向掩蔽方法中對(duì)部分掩蔽的EAP的形態(tài)與未掩蔽EAP的形態(tài)等同的假設(shè))。相反，以各種掩蔽物-探針間隔獲取對(duì)被掩蔽探針的EAP的直接測(cè)量。在圖4中，跡線B顯示了引發(fā)部分不應(yīng)性反應(yīng)的刺激。如跡線E中所示，通過使用具有絕對(duì)不應(yīng)性(E)的掩蔽物-探針間隔記錄前向掩蔽的探針，來減除B中的探針偽跡。為了消除在B和E中引入的掩蔽物刺激，利用了掩蔽物反應(yīng)C和時(shí)間遷移的掩蔽物反應(yīng)C’的記錄。得到的波形(R2)等于B-E-C+C’，已消除了探針刺激偽跡。使用上述具有用于Cl和ABI對(duì)象的電極的植入物記錄系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括:改進(jìn)的偽跡消除；對(duì)每個(gè)記錄的較少的掃描，引起臨床時(shí)間的減少/更快的記錄；在上述實(shí)施方案中描述的eABR記錄的記錄電極構(gòu)造將減少由患者(即患者移動(dòng))造成的偽跡，特別是在使用固定電極的情況下；對(duì)可能的誤差敏感性更低，特別是當(dāng)刺激和記錄電極具有固定位置時(shí)-對(duì)象在測(cè)量期間將具有更多移動(dòng)的自由；并且它更容易執(zhí)行(不需外部記錄系統(tǒng)，不需將記錄系統(tǒng)與刺激系統(tǒng)相連，并且不需放置記錄電極(在電極固定就位的實(shí)施方案中))。應(yīng)該理解，上述實(shí)施方案可用于其他類型的電誘發(fā)電位(EEP)測(cè)量(例如包括早、中和晚潛伏期聽覺反應(yīng))，然而，取決 于正被測(cè)量的EEP類型，記錄電極的放置和數(shù)量可能不同。例如，當(dāng)測(cè)量晚潛伏期電位時(shí)，可以添加其他Cz電極。本發(fā)明的實(shí)施方案可以全部或部分作為與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)一起使用的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)。這樣的實(shí)現(xiàn)可以包括一系列計(jì)算機(jī)指令，其固定在實(shí)體介質(zhì)例如計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)(例如軟盤、⑶-ROM、ROM或硬盤)上，或可以通過調(diào)制解調(diào)器或其他接口設(shè)備例如經(jīng)由介質(zhì)連接到網(wǎng)絡(luò)的通信轉(zhuǎn)接器傳輸?shù)接?jì)算機(jī)系統(tǒng)。所述介質(zhì)可以是實(shí)體介質(zhì)(例如光學(xué)或模擬通信線路)或使用無線技術(shù)(例如微波、紅外或其他傳輸技術(shù))執(zhí)行的介質(zhì)。所述一系列計(jì)算機(jī)指令實(shí)施了上文中對(duì)系統(tǒng)所描述的所有或部分功能。本技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)至IJ，這樣的計(jì)算機(jī)指令可以寫成與許多計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)或操作系統(tǒng)一起使用的多種編程語言。此外，這樣的指令可以儲(chǔ)存在任何存儲(chǔ)器例如半導(dǎo)體、磁、光或其他存儲(chǔ)器中，并且可以使用任何通信技術(shù)例如光、紅外、微波或其他傳輸技術(shù)來傳輸。預(yù)計(jì)這樣的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可以作為伴有印刷或電子文檔(例如壓縮打包軟件)的可移除介質(zhì)分配，預(yù)裝在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中(例如在系統(tǒng)的ROM或硬盤上)或從網(wǎng)絡(luò)(例如英特網(wǎng)或萬維網(wǎng))上的服務(wù)器或電子公告板分配。當(dāng)然，本發(fā)明的某些實(shí)施方案可以作為軟件(例如計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品)與硬件兩者的組合來執(zhí)行。本發(fā)明的其他實(shí)施方案作為全硬件或全軟件(例如計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品)來執(zhí)行。上面描述的本發(fā)明的實(shí)施方案的目的僅僅是示例性的；對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)人員來說，大量變化和修改將是顯而易見的。所有這樣的變化和修改打算包含在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于測(cè)量患者或動(dòng)物的體的電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)的方法，所述方法包括: 通過手術(shù)植入具有電極陣列的聽覺假體，所述電極陣列被置于耳蝸內(nèi)和大體鄰近所述體的腦干中的一種位置處； 刺激所述電極陣列中的至少一個(gè)電極；以及 至少部分地使用所述電極陣列中的電極和鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的電極，來記錄由所述刺激引起的電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述聽覺假體是腦干植入物和耳蝸植入物中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述聽覺假體包括連接器，所述方法還包括: 將所述體的所述電極、至少一個(gè)電極通過所述連接器與所述聽覺假體相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，還包括: 在植入所述聽覺假體時(shí)將所述連接器置于所述體內(nèi)，并且其中在將鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的電極通過所述連接器與所述聽覺假體相連時(shí)，將鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的電極置于所述體的內(nèi)部和外部兩者中的一種位置處。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括將鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的電極植入所述體內(nèi)，鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的所述電極與所述聽覺假體操作性偶聯(lián)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法 ，還包括從反應(yīng)中消除偽跡。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中從所述反應(yīng)中消除偽跡包括改進(jìn)的前向掩蔽消除。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述至少一個(gè)電極僅用于記錄。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的所述至少一個(gè)電極，被大體鄰近所述體的頭頂放置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中刺激所述電極陣列中的至少一個(gè)電極包括刺激所述電極陣列中的多個(gè)電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述電極陣列中的所述至少一個(gè)電極被用作負(fù)電極，以及鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的所述電極被用作正電極。
12.一種用于測(cè)量患者或動(dòng)物的體的電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)的系統(tǒng)，所述方法包含: 聽覺假體，其具有電極陣列，所述電極陣列用于置于耳蝸內(nèi)和大體鄰近所述體的腦干中的一種位置處； 電極，其與所述聽覺假體操作性偶聯(lián)，用于鄰近所述體的頭皮和/或前額放置；以及控制器，其用于刺激所述電極陣列中的至少一個(gè)電極，并至少部分地使用所述電極陣列中的電極和用于鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的所述電極，來記錄由所述刺激引起的電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的系統(tǒng)，其中所述聽覺假體是腦干植入物和耳蝸植入物中的一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的系統(tǒng)，其中所述聽覺假體包括用于連接到用于鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的所述電極的連接器。
15.根據(jù)權(quán)利.要求14的系統(tǒng)，其中所述連接器可移除地偶聯(lián)用于鄰近所述頭皮和/或前額放置的所述電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的系統(tǒng)，其中所述連接器包括在植入所述聽覺假體時(shí)用于將所述連接器置于所述體內(nèi)的裝置。
17.根據(jù)權(quán)利要求12的系統(tǒng)，其中所述控制器消除所述反應(yīng)中的偽跡。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的系統(tǒng)，其中所述控制器利用改進(jìn)的前向掩蔽消除來消除偽跡。
19.根據(jù)權(quán)利要求12的系統(tǒng)，其中所述控制器在測(cè)量電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)時(shí)同時(shí)刺激所述電極陣列中的至少兩個(gè)電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求12的系統(tǒng)，其中所述電極陣列中的所述至少一個(gè)電極陣列被用作負(fù)電極，并且用于鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的所述電極被用作正電極。
21.一種用于測(cè)量患者或動(dòng)物的體的電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)的方法，所述方法包括: 通過手術(shù)植入具有電極陣列的聽覺假體，所述電極陣列被置于耳蝸內(nèi)和大體鄰近所述體的腦干中的一種位置處； 刺激所述電極陣列中的至少一個(gè)電極； 記錄由所述刺激引起的電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)；以及 使用改進(jìn)的前向掩蔽方法消除所述反應(yīng)中的偽跡。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中記錄所述電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)包括:至少部分地使用鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的正電極和鄰近所述體的耳的乳突、耳垂和耳前區(qū)域中的一種放置的負(fù)電極。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中所述正電極和負(fù)電極是表面電極和針狀電極中的一種。
24.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中記錄所述電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)包括:至少部分地使用鄰近所述體的頭皮和/或前額放置的正電極和所述電極陣列中起到負(fù)電極作用的電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，還包括將至少一個(gè)正電極通過連接器操作性偶聯(lián)到所述聽覺假體。
26.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，還包括將至少一個(gè)正電極置于所述體內(nèi)。
27.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中刺激所述電極陣列中的至少一個(gè)電極包括刺激所述電極陣列中的多個(gè)電極。
全文摘要
提供了一種測(cè)量患者或動(dòng)物體的電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)的方法。所述方法包括通過手術(shù)植入具有電極陣列的聽覺假體，所述電極陣列被置于耳蝸內(nèi)或大體鄰近所述體的腦干。刺激所述電極陣列中的至少一個(gè)電極。至少部分地使用所述電極陣列中的電極作為負(fù)電極和大體鄰近所述體頭頂放置的正電極，來記錄由所述刺激引起的電誘發(fā)聽覺腦干反應(yīng)。
文檔編號(hào)A61F11/04GK103096850SQ201180037267
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2011年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月29日
發(fā)明者馬利克·波拉克 申請(qǐng)人:Med-El電氣醫(yī)療器械有限公司